Question

利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器，廣泛應用于測量和自動控制等領域。    如圖1，將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中，在薄片的兩個側面a、b間通以電流I時，另外兩側c、f間產生電勢差，這一現象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累，于是c、f間建立起電場E_H，同時產生霍爾電勢差U_H。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時，E_H和U_H達到穩定值，U_H的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式U_H＝R_H，其中比例系數R_H稱為堆爾系數，僅與材料性質有關。

       （1）設半導體薄片的寬度（c、f間距）為l，請寫出U_H和E_H的關系式;若半導體材料是電子導電的，請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;[來源:學科網ZXXK]

       （2）已知半導體薄片內單位體積中導電的電子數為n，電子的電荷量為e，請導出霍爾系數R_H的表達式。（通過橫截面積S的電流I＝nevS，其中v是導電電子定向移動的平均速率）;

       （3）圖2是霍爾測速儀的示意圖，將非磁性圓盤固定在轉軸上，圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體，相鄰永磁體的極性相反。霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近。當圓盤勻速轉動時，霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖像如圖3所示。

       a.若在時間t內，霍爾元件輸出的脈沖數目為P，請導出圓盤轉速N的表達式。

       b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程。除此之外，請你展開“智慧的翅膀”，提出另一個實例或設想。

Answer 1

（1）Un=     c端電勢高

（2）由  

得      

當電場力與洛倫磁力相等時       eE_h=evB

得                              E_h=evB             ③

又                              I=nevS             ④

將③、④帶入②

得                           

（3）a.由于在時間t內，霍爾元件輸出的脈沖數目為P，則

                                          P=mNt

      

 圓盤轉速為  N=P/mt

     b.提出的實例或設想愛合理即可