Question

霍爾效應是電磁基本現象之一，近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展。如圖丙所示，在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M、N間出現電壓U_H，這個現象稱為霍爾效應，U_H稱為霍爾電壓，且滿足，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數。某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數。

①若該半導體材料是空穴（可視為帶正電粒子）導電，電流與磁場方向如圖丙所示，該同學用電壓表測量U_H時，應將電壓表的“+”接線柱與_________(填“M”或“N”)端通過導線相連。

②已知薄片厚度d=0.40mm，該同學保持磁感應強度B=0.10T不變，改變電流I的大小，測量

I(×10－3 A)	3.0	6.0	9.0	12.0	15.0	18.0
UH(×10－3 V)	1.1	1.9	3.4	4.5	6.2	6.8

相應的U_H值，記錄數據如下表所示。

根據表中數據在給定區域內（見答題卡）畫出U_H—I圖線，利用圖線求出該材料的霍爾系數為_______________（保留2位有效數字）。

③該同學查閱資料發現，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數的測量誤差，為此該同學設計了如圖丁所示的測量電路，S₁、S₂均為單刀雙擲開關，虛線框內為半導體薄片（未畫出）。為使電流從Q端流入，P端流出，應將S₁擲向_______（填“a”或“b”）, S₂擲向_______（填“c”或“d”）。

為了保證測量安全，該同學改進了測量電路，將一合適的定值電阻串聯在電路中。在保持其它連接不變的情況下，該定值電阻應串聯在相鄰器件____________和__________(填器件代號)之間。

　　　　　　　　　　　　 圖丁

Answer 1

M

如右圖所示，1.5（1.4或1.6）

b，c；S₁，E

【KS5U解析】（1）由游標卡尺的結構原理可知測內經，應選游標卡尺的內測量腳，故選填A；游標卡尺的主尺讀數為11mm，游標尺的讀數為50.05mm=0.25mm,故鋼筆帽的內徑為11.25mm。

（2）①由于導電空穴為帶正電的粒子，由電流方向和磁場方向結合左手定則可判斷出正粒子向M板偏轉，故M板的電勢高，電壓表的“+”接線柱應與M端連接。

②根據表格數據，在坐標紙上描點、連線，注意使圖線盡可能多的穿過坐標點，不在線上的點均勻分布在線的兩側，誤差較大的點予以舍去。（作圖暫略）。

由題意知，即圖線的斜率表示，將已知數據代入可求得。

③外電路中，電流由電源正極流出，經用電器流入電源負極，故接b，接c時，電流自Q端流入P端流出；為了避免開關接錯位置導致電源短路而被燒壞，應在開關和電源E之間串聯一保護電阻。