Question

【題目】材料是人類文明進步的階梯，第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是組成特殊材料的重要元素。

回答下列問題：

（1）基態(tài)B核外電子占據的最高能級的電子云輪廓圖形狀為________。與硼處于同周期且相鄰的兩種元素和硼的第一電離能由大到小的順序為______。

（2）某元素位于第四周期Ⅷ族，其基態(tài)原子的未成對電子數與基態(tài)氮原子的未成對電子數相同，則其基態(tài)原子的價層電子排布式為_____。

（3）經測定發(fā)現(xiàn)，N2O5固體由NO2+和NO3-兩種離子組成，該固體中N原子雜化類型有__。

（4）MgCO3的熱分解溫度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。

（5）NH3分子在獨立存在時H－N－H鍵角為107°。如圖是[Zn(NH3)6]2＋離子的部分結構以及H－N－H鍵角的測量值。解釋NH3形成如圖配合物后H－N－H鍵角變大的原因：_________。

（6）某種金屬鋰的硼氫化物是優(yōu)質固體電解質，并具有高儲氫密度。陽離子為Li+，每個陰離子是由12個硼原子和12個氫原子所構成的原子團。陰離子在晶胞中位置如圖所示，其堆積方式為_____，Li+占據陰離子組成的所有正四面體中心，該化合物的化學式為_____（用最簡整數比表示）。假設晶胞邊長為anm，NA代表阿伏伽德羅常數的值，則該晶胞的密度為_____g/cm3。

Answer 1

【答案】啞鈴形 C＞Be＞B 3d74s2 sp、sp2 低于 r(Mg2+) < r(Ca2+)，晶格能：MgO大于CaO，故MgCO3更易分解為MgO NH3分子中N原子的孤電子對進入Zn2+的空軌道形成配位鍵后，原孤電子對與成鍵電子對間的排斥作用變?yōu)槌涉I電子對間的排斥，排斥作用減弱 面心立方最密堆積 LiB6H6

【解析】

（1）基態(tài)B核外電子占據的最高能級為2p；與硼處于同周期且相鄰的兩種元素為C與Be,結合Be的最高能級2s上電子為全充滿結構，第一電離能最大分析作答；

（2）第四周期Ⅷ族元素分別是鐵、鈷和鎳，根據價層電子排布式分析作答；

（3）依據價層電子對互斥理論與雜化軌道理論結合判斷雜化類型；

（4）依據MgO與CaO的晶格能大小來判斷產物的穩(wěn)定性，據此分析分解溫度；

（5）依據孤電子對對成鍵鍵角的排斥力大于成鍵電子對鍵角的排斥力作答；

（6）依據金屬晶體中金屬原子在空間上的堆積方式分析判斷模型；利用均攤法計算晶胞內原子的個數，再結合晶體的密度 = 晶胞的密度= 求算。

（1）基態(tài)B核外電子占據的最高能級2p，電子云輪廓圖形狀為啞鈴形，同周期元素中，第一電離能從左到右呈增大趨勢，因Be的價層電子排布式為2s2，位于IIA族，第一電離能比B的第一電離能大，則第一電離能比較：C＞Be＞B，

故答案為：啞鈴形；C＞Be＞B；

（2）因基態(tài)氮原子的價層電子排布式為2s22p3，未成對電子數為3，而第四周期Ⅷ族Co的基態(tài)原子的價層電子排布式為3d74s2，未成對電子數也為3，符合題意，

故答案為：3d74s2；

（3）根據價層電子對數計算公式得，NO2+的價層電子數有2+=2，故雜化軌道類型為sp，NO3-的價層電子數有3+=3，故雜化軌道類型為sp2，

故答案為：sp、sp2；

（4）產物越穩(wěn)定，碳酸鹽熱分解溫度越低，因r(Mg2+) < r(Ca2+)，晶格能：MgO大于CaO，故MgCO3更易分解為MgO，故MgCO3的熱分解溫度低于CaCO3，

故答案為：低于；因r(Mg2+) < r(Ca2+)，晶格能：MgO大于CaO，故MgCO3更易分解為MgO；

（5）NH3分子中N原子的孤電子對進入Zn2+的空軌道形成配位鍵后，原孤電子對與成鍵電子對間的排斥作用變?yōu)槌涉I電子對間的排斥，排斥作用減弱，導致形成配合物后H－N－H鍵角變大，

故答案為：NH3分子中N原子的孤電子對進入Zn2+的空軌道形成配位鍵后，原孤電子對與成鍵電子對間的排斥作用變?yōu)槌涉I電子對間的排斥，排斥作用減弱；

（6）根據陰離子在晶胞中位置圖，陰離子在晶胞頂點和面心，所以堆積方式為面心立方堆積；根據“均攤法”，陰離子數 ，Li+占據陰離子組成的所有正四面體中心，晶胞中共8個鋰離子，故該化合物的化學式（最簡式）為LiB6H6，晶體的密度 = 晶胞的密度= =

，

故答案為：面心立方最密堆積；LiB6H6；。