）工業上用“三氯氫硅還原法”提純粗硅的工藝流程如下圖所示：
⑴三氯氫硅的制備原理：Si(s)＋3HCl(g)
SiHCl3(g)＋H2(g) △H＝－210 kJ/mol
工業上為了加快SiHCl3生成速率而又不降低硅的轉化率，可以采用的方法是 ▲ 。
⑵除上述反應外，還伴隨著副反應：Si(s)＋4HCl(g)
SiCl4(g)＋2H2(g) △H＝－241 kJ/mol。已知：SiHCl3、SiCl4常溫下均為液體。
①工業上分離SiHCl3、SiCl4的操作方法為 ▲ 。
②反應SiHCl3(g)＋HCl(g) 
SiCl4(g)＋H2(g)的△H＝ ▲ kJ/mol。
⑶該生產工藝中可以循環使用的物質是 ▲ 。
名校課堂系列答案科目：高中化學 來源： 題型：
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科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解
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科目：高中化學 來源： 題型：
工業上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業流程如圖：
（1）石英砂的主要成分是 （填化學式），在制備粗硅時焦炭的作用是 。
（2）制備三氯氫硅的反應：
Si（s）+3HCl（g）SiHCl3（g）+H2（g）
伴隨的副反應為：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g）
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體，工業上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ；
寫出SiHCl3（g）和HCl反應生成SiCl4（g）和H2的熱化學方程式 。
（3）該生產工藝中可以循環使用的物質是 。
（4）實驗室用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下圖（熱源及夾持裝置略去）.已知SiHCl3能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 （填名稱），裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是 。
②實驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應一段時間后，再加熱C、D裝置的理由是 ，裝置D中發生反應的化學方程式為 。
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科目：高中化學 來源：2011屆廣東省茂名市高三第一次模擬考試（理綜）化學部分 題型：實驗題
工業上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業流程如圖：
（1）石英砂的主要成分是 （填化學式），在制備粗硅時焦炭的作用是 。
（2）制備三氯氫硅的反應：
Si（s）+3HCl（g）
SiHCl3（g）+H2（g） 
伴隨的副反應為：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g） 
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體，工業上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ；
寫出SiHCl3（g）和HCl反應生成SiCl4（g）和H2的熱化學方程式 。
（3）該生產工藝中可以循環使用的物質是 。
（4）實驗室用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下圖（熱源及夾持裝置略去）.已知SiHCl3能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 （填名稱），裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是 。
②實驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應一段時間后，再加熱C、D裝置的理由是 ，裝置D中發生反應的化學方程式為 。
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科目：高中化學 來源：2010-2011學年廣東省茂名市高三第一次模擬考試（理綜）化學部分 題型：實驗題
工業上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業流程如圖：
（1）石英砂的主要成分是 （填化學式），在制備粗硅時焦炭的作用是 。
（2）制備三氯氫硅的反應：
Si（s）+3HCl（g）
SiHCl3（g）+H2（g） 
伴隨的副反應為：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g） 
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體，工業上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ；
寫出SiHCl3（g）和HCl反應生成SiCl4（g）和H2的熱化學方程式 。
（3）該生產工藝中可以循環使用的物質是 。
（4）實驗室用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下圖（熱源及夾持裝置略去）.已知SiHCl3能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 （填名稱），裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是 。
②實驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應一段時間后，再加熱C、D裝置的理由是 ，裝置D中發生反應的化學方程式為 。
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