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B．小球電勢能增加量可能大于其重力勢能減少量 C．小球在ab段克服摩擦力所做的功與在bc段克服摩擦力所做的功相等 D．小球到C點后可能沿桿向上運動絕密★啟用并使用完畢前2008年普通高等學校招生考試仿真試題理科綜合(一)第Ⅱ卷(必做120分+選做32分.共152分)注意事項: 第Ⅱ卷共有16大題.其中23-30題為必做部分.考生可用黑色簽字筆.鋼筆或圓珠筆直接將答案寫在答題卡上,31-38題為選做題.考生必須從中選擇2個物理.1個化學和1個生物題作答.多選多做不計分.選做的題目.考生須講答案用黑色簽字筆.鋼筆或圓珠筆寫在答題卡規定的位置.[ 必做部分]23.影響物質材料電阻率的因素很多.一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大.半導體材料的電阻率則隨溫度的升高而減小．是某金屬材料制成的電阻R隨攝氏溫度t變化的圖象.圖中R0表示0℃時的電阻.k表示圖線的斜率．若用該電阻與電池(E.r).電流表Rg.滑動變阻器R′ 串聯起來.連接成如圖(乙)所示的電路.用該電阻做測溫探頭.把電流表的電流刻度改為相應的溫度刻度.就得到了一個簡單的“金屬電阻溫度計．使用“金屬電阻溫度計前.先要把電流表的刻度值改為相應的溫度刻度值.若溫度t1＜t2.則t1的刻度應在t2的側,在標識“金屬電阻溫度計的溫度刻度時.需要弄清所測溫度和電流的對應關系．請用E.R0.k等物理量表示所測溫度t與電流I的關系式t＝ . (2)研究某種導電材料的用電器Z的導電規律時.利用如圖(丙)所示的分壓電路測得其電壓與電流的關系如下表所示:U (V) 【查看更多】

如圖，將帶正電的小球A固定，另一帶電小球B從A附近的P點處由靜止釋放，其下落到Q點的運動軌跡如虛線所示，不計空氣阻力，則小球B（　　）

A．可能帶正電　　

B．在Q點的速度大于在P點的速度　　　

C．在Q點的電勢能大于在P點的電勢能

D．從P到Q，重力勢能的減少量小于動能的增加量

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如圖，將帶正電的小球A固定，另一帶電小球B從A附近的P點處由靜止釋放，其下落到Q點的運動軌跡如虛線所示，不計空氣阻力，則小球B（　　）

　　　 A．可能帶正電　　

　　　 B．在Q點的速度大于在P點的速度　　　

　　　 C．在Q點的電勢能大于在P點的電勢能

　　　 D．從P到Q，重力勢能的減少量小于動能的增加量

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（1）在做“研究平拋物體的運動”的實驗中，為了確定小球在不同時刻所通過的位置，實驗時用如圖所示的裝置，先將斜槽軌道的末端調整水平，在一塊平木板表面釘上復寫紙和白紙，并將該木板豎直立于槽口附近處．使小球從斜槽上緊靠擋板處由靜止釋放，小球撞到木板并在白紙上留下痕跡A；將木板向遠離槽口平移距離x，再使小球從斜槽上緊靠擋板處由靜止釋放，小球撞在木板上得到痕跡B；又將木板再向遠離槽口平移距離x，小球再從斜槽上緊靠擋板處由靜止釋放，再得到痕跡C．若測得木板每次移動距離x=10.00cm，A、B間距離y₁=4.78cm，B、C間距離y₂=14.58cm．（g取9.80m/s²）
①根據以上直接測量的物理量得小球初速度

（用題中所給字母表示）．
②小球初速度的測量值為

_m/s．（保留兩位有效數字）
（2）在利用電磁打點計時器（電磁打點計時器所用電源頻率為50Hz）驗證“機械能守恒定律”的實驗中：
①某同學進行實驗后，得到如圖所示的紙帶，把第一點（初速度為零）記作O點，測出點O、A間的距離為68.97cm，點A、C間的距離為15.24cm，點C、E間的距離為16.76cm，已知當地重力加速度為9.8m/s²，重錘的質量為m=1.0kg，則打點計時器在打O點到C點的這段時間內，重錘動能的增加量為

J，重力勢能的減少量為

J．
②利用這個裝置也可以測量重錘下落的加速度a=

m/s²．
③在實驗中發現，重錘減小的重力勢能總大于重錘增大的動能，其原因主要是因為在重錘帶著紙帶下落的過程中存在著阻力的作用，用題目中人出的已知值可求出重錘下落過程中受到的平均阻力大小為

N．

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如圖所示，光滑曲面上方有一固定的帶電量為的點電荷，現有一帶電量為的金屬小球（可視為質點），在點以初速度射入后始終沿著曲面運動，小球與面相互絕緣，則（　　）

A．小球從點運動到B點過程中，速度逐漸增大

B．小球從點到C點過程中，重力勢能的增加量小于其動能的減少量

C．小球在C點時受到的庫侖力最大，所以對曲面的壓力最大

D．小球在曲面上運動過程中，機械能始終守恒

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如圖所示，光滑曲面上方有一固定的帶電量為的點電荷，現有一帶電量為的金屬小球（可視為質點），在點以初速度射入后始終沿著曲面運動，小球與面相互絕緣，則（　　）

A．小球從

點運動到B點過程中，速度逐漸增大

B．小球從

點到C點過程中，重力勢能的增加量小于其動能的減少量

C．小球在C點時受到

的庫侖力最大，所以對曲面的壓力最大

D．小球在曲面上運動過程中，機械能始終守恒

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題號

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

答案

C

B

D

C

D

B

A

B

D

題號

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

答案

B

D

C

A

B

ABD

C

AC

AD

AB

BD

23．右；；半導體材料；

用電器件Z的電流隨電壓變化的規律是，其具體的表達式為

24．解：（1）對系統AB：

（2）開始時彈簧形變量為，由平衡條件：

①

設當A剛離開檔板時彈簧的形變量為：由：可得 ②

故C下降的最大距離為： ③

由①～③式可解得 ④

（3）由能量守恒定律可知：C下落h過程中，C重力勢能的的減少量等于B的電勢能的增量和彈簧彈性勢能的增量以及系統動能的增量之和

當C的質量為M時： ⑤

當C的質量為2M時，設A剛離開擋板時B的速度為V

⑥

由④～⑥式可解得A剛離開P時B的速度為：

25．（1）由牛頓第二定律可得，電荷進入坐標系第1秒內在y軸正方向有

第1秒末，對于電荷應有沿y軸正方向的速度：

電荷到達的位置為：，由于電荷又經1秒后，返回x軸上某一點，在這1秒內有：

聯立以上兩式，將已知值帶入求得：E₂=60N/C

（2）電荷返回x軸上某點時，應有

電荷沿y軸負方向的速度

電荷沿x軸正方向的速度：

電荷的合速度：

此時電荷到達的位置為：

由此可得，電荷到達x軸上（6，0）點后，將做勻速圓周運動，經一段時間后返回O點，

根據電荷在（6，0）點的速度關系及幾何關系可得：

解得繞得半徑：

又由：代入解得勻強磁場的磁感應強度：（3）設當電場變成E₂后，電荷經時間t₁，沿y軸正方向的速度為零，則有：

解得，

此段時間內電荷在y軸正方向發生的位移：

文本框: 在x軸方向發生的位移：

此時電荷的坐標為：

然后，電荷從（4，）點將做類平拋運動，在s時間內返回x軸上的（6，0）點。

最后作勻速圓周運動，回到O點。由以上分析結合（1）（2）問的解答，畫出電荷運動

軌跡如圖所示

26．（1）氧氣向左，二氧化碳向右擴散作用（2）升高（3）曲線如圖理由：種子吸脹萌發，呼吸作用加強。

呼吸作用增加，釋放CO₂增加，提高光合作用速率

（4）CO₂濃度過高抑制了呼吸作用等生理過程，從而影

響了光合作用產物的轉動，抑制了光合作用強度。

[或：過高濃度的CO₂，使控制氣孔關閉的基因表達，導致氣孔關閉，二氧化碳供應減少，光合作用速度降低]

27．解析：此題為遺傳學題目。（1）此題主要考察遺傳學兩大定律。

P： AaBB×aaBb

↓

F1：AaBB AaBb aaBB aaBb 即后代基因型有4種。

要想自交產生矮生黃果（aabb），找隱性基因最多的，即aaBb植株自交：

F1： aaBb

↓×

F2： 1aaBB 2aaBb 1aabb

表現型：矮生紅果矮生黃果

比例： 3 ： 1

（2）此題考察減數分裂，此題容易考慮不全而失分。

減數第一次分裂時A基因所在的同源染色體不分離，情況有兩種，一種是兩條染色體均進入次級卵母細胞，這樣的話，經過正常的減數第二次分裂得到的雌配子染色體數目就為12+1=13條；另一種可能是兩天染色體均進入第一極體，這樣，次級卵母細胞進行正常的減數第二次分裂得到的雌配子染色體數目就為12-1=11條。因此，得到的雌配子對于A基因來說就有O（表示不含A基因）和AA兩種，與aa產生的雄配子a結合得到的后代基因型就有a（注意此處是單體而非單倍體）和AAa（此處為三體而非三倍體）兩種，對應的株高表現型也就是矮生植株或正常植株。

（3）此題考察基因突變，堿基對的增添、缺失或改變，以及基因的表達過程。（詳見答案）

（4）此題綜合考察基因工程技術及實驗設計的方法，很容易只答一個方面，即只對矮生植株進行過量表達而忽略對正常植株A基因表達的抑制作用。對于第二種方法的思路比較簡單，可能想到的同學出錯能比較少。第③個問題比較簡單，考察基因對性狀的控制。

答案：（1）4 aaBb 矮生紅果：矮生黃果=3：1 （2）13或11 正常或矮生（3）Y Y突變體的蛋白質中氨基酸的改變比X突變體可能更多（或：X突變體的蛋白質可能只有一個氨基酸發生改變，Y突變體的蛋白質氨基酸序列可能從第一個氨基酸后都改變）。

（4）①答案一： b. 通過轉基因技術，一是抑制正常植株A基因的表達，二是使A基因在矮生植株過量表達。 c. 測定兩個實驗組植株的赤霉素含量和植株。

答案二： b. 通過轉基因技術，抑制正常植株A基因的表達，測定其赤霉素含量和株高。

c. 通過轉基因技術，使A基因在矮生植株過量表達，測定其赤霉素含量和株高。

（答案二中b和c次序不做要求）

②與對照比較，正常植株在A基因表達被抑制后，赤霉素含量降低，株高降低；與對照比較，A基因在矮生植株中過量表達后，該植株赤霉素含量增加，株高增加。

③基因通過控制酶的合成來控制代謝途徑，進而控制生物性狀。

28．

△

====

（2）Cu＋2H₂SO₄（濃） CuSO₄＋SO₂↑＋2H₂O

高三理綜第六次質量檢查試卷答案第4頁共4頁

（4）無水硫酸銅；靜置，傾倒出上層清液，加入蒸餾水，白色固體溶解，得到藍色溶液（或其它合理答案）。

（5）NaOH溶液（或其它合理答案）

（6）①保證晶體中結晶水已完全除去

②偏大；BC

29．（1）；

（2）；

（3）N₂+6H₂O+6e^-=2NH₃+6OH^-

（4）；

（5）①往少量的最后一次洗滌所得濾液中加入稀H₂SO₄溶液（或溶液），若產生白色沉淀，則沉淀沒有洗滌干凈；若無白色沉淀，則沉淀已洗滌干凈。

②

30． (1)HCO₃^-+H₂OH₂CO₃+OH^-；大于；

①乙；B；

②等于；甲；

③乙；常壓下加熱NaHCO₃的水溶液，溶液的溫度達不到150℃

(2)① 0.004mol?L^-1?s^-1 ；

②減小壓強 ;0.04mol

③ 3A (g) 2C(g) + B(g)；ΔH＝+100akJ?mol^－¹

31． ( 8分）（1）NH₄⁺ （1分）取濾液少量于試管中，加入濃NaOH溶液，加熱，生成的氣體能使濕潤的紅色石蕊試紙變藍的氣體（2分）

（3）Al(OH)₃、Al₂O₃、Fe₂O₃(3分)

（4）K₂SO₄、(NH₄)₂SO₄(2分)

32． ( 8 分) ⑴ O＞N＞C （1分） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²（1分）

⑵ 順鉑易溶于水，因為它是極性分子，易溶于極性溶劑（2分）

⑶ ① （2分） ② sp³和sp²（2分）

（2）

（3）②

⑥

34．（8 分）⑴橘（橙）黃　　　親脂性有機溶劑（或有機溶劑）　　　胡蘿卜素是脂類物質

⑵萃取萃取　過濾　濃縮　 ⑶溫度　時間　溫度過高和時間過長會導致胡蘿卜素分解

⑷紙層析　標準樣品 ⑸反

35.（8分）（一）（1）在培養液中加入一定量的抗生素，定期更換培養液（答上一點即得分）

（2）10代以后的細胞遺傳物質可能發生突變（或保證供體細胞正常的遺傳基礎）

（二）（1）使供、受體的生理條件達到同步或者一致

（2）促性腺激素（3）桑椹胚或囊胚（4）具有相同的遺傳物質

（三）（1）篩選和檢測（2）抗原、抗體之間結合的高度特異性

36．解：⑴ABC

①根據得：

②由得：

太陽光在垂直單位面積上的輻射功率為

37．（1）1.6或 1.4或

（2）光路示意圖如圖所示，設透明體的厚度為d，光透入透明體時的折射角為

由 ,由題意及光路圖得：△s=2dtan60°－2dsin30°

代入數值解得：d=1.5cm

光在透明介質量傳播的速度光在透明介質里的路程

光在透明體里運動的時間

聯立解得：t=2×10^-10s

38．⑴CDF

(2)氫原子從n>2的某一級躍遷到n=2的能級，滿足：h_v=E_n－E₂=2.55eV

所以E_n=h+E₂=－0.85eV 可見n=4

躍遷圖如右圖所示

同步練習冊答案

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