解答：解：
（1）電子先做勻速運(yùn)動(dòng)，進(jìn)入電場(chǎng)后做類平拋運(yùn)動(dòng)，設(shè)電子恰好從C點(diǎn)射出電場(chǎng)．
電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的加速度a=
設(shè)電子恰好從C點(diǎn)射出電場(chǎng)時(shí)在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t，則有
L=v
0t，L=
at
2
解得：v
0=
討論：
①當(dāng)v
0≤
時(shí)，電子從電場(chǎng)的下邊界射出電場(chǎng)，射出電場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能 E
k=
mv
02+eEL
②v
0＞
時(shí)，電子從電場(chǎng)的右邊界射出電場(chǎng)，射出電場(chǎng)時(shí)沿電場(chǎng)方向的位移 y=
at
2=
射出電場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能 E
k=
mv
02+eEy=
mv
02+
（2）電子先做類平拋運(yùn)動(dòng)，接著做勻速直線運(yùn)動(dòng)，最后做類斜下拋運(yùn)動(dòng)．
設(shè)電子整個(gè)運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t
1，則有
2L=v
0t
1L=
a（
）
2+a?
?
解得：v
0=
答：
（1）當(dāng)無電場(chǎng)的區(qū)域位于左側(cè)時(shí)，①當(dāng)v
0≤
時(shí)，電子從電場(chǎng)的下邊界射出電場(chǎng)，射出電場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能 E
k=
mv
02+eEL；②v
0＞
時(shí)，電子從電場(chǎng)的右邊界射出電場(chǎng)，射出電場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能 E
k=
mv
02+
（2）當(dāng)無電場(chǎng)區(qū)域的左邊界距AD的距離為x時(shí)，要使這個(gè)電子能從區(qū)域的右下角的C點(diǎn)射出，電子的初速度v
0應(yīng)滿足條件是v
0=
．
王后雄學(xué)案教材完全解讀系列答案
海淀課時(shí)新作業(yè)金榜卷系列答案
（2011?西湖區(qū)模擬）如圖所示，半徑R=2m的四分之一粗糙圓弧軌道AB置于豎直平面內(nèi)，軌道的B端切線水平，且距水平地面高度為h=1.25m，現(xiàn)將一質(zhì)量m=0.2kg的小滑塊從A點(diǎn)由靜止釋放，滑塊沿圓弧軌道運(yùn)動(dòng)至B點(diǎn)以v=5m/s的速度水平飛出（g取10m/s2）．求：
（2011?西湖區(qū)模擬）如圖，一個(gè)不帶電的表面絕緣的導(dǎo)體P正在向帶正電的小球Q緩慢靠近，但不接觸，也沒有發(fā)生放電現(xiàn)象，則下列說法中正確的是（ ）
（2011?西湖區(qū)模擬）圖中給出的是螺旋測(cè)微器測(cè)量一金屬板厚度時(shí)的示數(shù)，讀數(shù)應(yīng)為
（2011?西湖區(qū)模擬）如圖所示，在與水平面成60°角的光滑金屬導(dǎo)軌間連一電源，在相距為1m的平行導(dǎo)軌上放一質(zhì)量為0.3㎏的金屬棒ab（ab棒垂直導(dǎo)軌），磁場(chǎng)方向豎直向上，當(dāng)棒中電流為3A時(shí)棒恰好靜止．求磁感應(yīng)強(qiáng)度B和棒對(duì)導(dǎo)軌的壓力大小（g=10m/s2）