| 1 |
| B |
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| △Φ |
| △t |
| △BS |
| △t |
| E |
| 2R |
| Sk |
| 2R |
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| v2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,串聯(lián)阻值為
的閉合電路中,面積為
的正方形區(qū)域abcd存在一個(gè)方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度均勻增加且變化率為k的勻強(qiáng)磁場
,abcd的電阻值也為
,其他電阻不計(jì).電阻兩端又向右并聯(lián)一個(gè)平行板電容器.在靠近
板處由靜止釋放一質(zhì)量為
、電量為
的帶電粒子(不計(jì)重力),經(jīng)過
板的小孔
進(jìn)入一個(gè)垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的圓形勻強(qiáng)磁場,已知該圓形勻強(qiáng)磁場的半徑為
。求:
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(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔
射入勻強(qiáng)磁場時(shí)的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場運(yùn)動(dòng)時(shí)的軌道半徑及它離開磁場時(shí)的偏轉(zhuǎn)角.
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科目:高中物理 來源:2011屆江西省贛縣中學(xué)高三適應(yīng)性考理科綜合物理部分 題型:計(jì)算題
如圖所示,串聯(lián)阻值為R的閉合電路中,面積為S的正方形區(qū)域abcd存在一個(gè)方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度均勻增加且變化率為k的勻強(qiáng)磁場Bt,abcd的電阻值也為R,其他電阻不計(jì).電阻兩端又向右并聯(lián)一個(gè)平行板電容器.在靠近M板處由靜止釋放一質(zhì)量為m、電量為+q的帶電粒子(不計(jì)重力),經(jīng)過N板的小孔P進(jìn)入一個(gè)垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的圓形勻強(qiáng)磁場,已知該圓形勻強(qiáng)磁場的半徑
為
。求:![]()
(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔P射入勻強(qiáng)磁場時(shí)的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場運(yùn)動(dòng)時(shí)的軌道半徑及它離開磁
場時(shí)的偏轉(zhuǎn)角
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科目:高中物理 來源:2013屆度重慶市名校聯(lián)盟高三下學(xué)期第二次聯(lián)考理綜物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
(17分)如圖所示,串聯(lián)阻值為R的閉合電路中,邊長為L的正方形區(qū)域abcd存在一個(gè)方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度均勻增加且變化率為
的勻強(qiáng)磁場
,abcd的電阻值也為R,其他電阻不計(jì).電阻兩端又向右并聯(lián)一個(gè)平行板電容器.在靠近M板處由靜止釋放一質(zhì)量為m、電量為+q的帶電粒子(不計(jì)重力),經(jīng)過N板的小孔P進(jìn)入一個(gè)垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的圓形勻強(qiáng)磁場,已知該圓形勻強(qiáng)磁場的半徑為
.求:
![]()
(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔P射入勻強(qiáng)磁場時(shí)的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑和它離開磁場時(shí)的偏轉(zhuǎn)角.
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年廣東省高三第五次階段考試?yán)砜凭C合物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
如圖所示,串聯(lián)阻值為
的閉合電路中,面積為
的正方形區(qū)域abcd存在一個(gè)方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度均勻增加且變化率為k的勻強(qiáng)磁場
,abcd的電阻值也為
,其他電阻不計(jì).電阻兩端又向右并聯(lián)一個(gè)平行板電容器.在靠近
板處由靜止釋放一質(zhì)量為
、電量為
的帶電粒子(不計(jì)重力),經(jīng)過
板的小孔
進(jìn)入一個(gè)垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的圓形勻強(qiáng)磁場,已知該圓形勻強(qiáng)磁場的半徑為
。求:
(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔
射入勻強(qiáng)磁場時(shí)的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場運(yùn)動(dòng)時(shí)的軌道半徑及它離開磁場時(shí)的偏轉(zhuǎn)角.
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