【題目】一個質(zhì)量為M的活塞將一定質(zhì)量的理想氣體封閉在上端開口直立的圓筒形氣缸內(nèi)，活塞上堆放著鐵砂，活塞的面積S=Mg/P0.如圖所示，最初活塞置在氣缸內(nèi)壁的固定的卡環(huán)上，氣柱的高度為H0，壓強等于大氣壓強P0。現(xiàn)對氣體緩慢加熱，當氣體的溫度升高了ΔT=600K時，活塞及鐵砂開始離開卡環(huán)而上升，繼續(xù)加熱直到氣柱高度為H1=1.2H0 此后，在維持溫度不變的條件下逐漸取走鐵砂，直到鐵砂全部取走時，氣柱的高度為H2=1.8H0，求此時氣體溫度（不計活塞與氣缸間的摩擦）。
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【題目】如圖所示，光滑細管ABC，AB內(nèi)有一壓縮的輕質(zhì)彈簧，上方有一質(zhì)量m1=0.01kg的小球1；BC是半徑R=1m的四分之一圓弧細管，管口C的切線水平，并與長度L=1m的粗糙直軌道CD平滑相接，小球與CD的滑動摩擦系數(shù)μ=0.3。現(xiàn)將彈簧插銷K拔出，球1從管口C水平射出，通過軌道CD后與球2發(fā)生彈性正碰。碰后，球2立即水平飛出，落在E點。球1剛返回管口C時恰好對管道無作用力，若球1最后也落在E點。（球1和球2可視為質(zhì)點，g=10m/s2）求：
（1）碰后球1的速度、球2的速度
（2）球2的質(zhì)量
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【題目】某同學利用電流表和電壓表測定一節(jié)干電池的電動勢和內(nèi)阻（約1.0Ω）
（1）現(xiàn)備有下列器材：
A．待測的干電池一節(jié)
B．電流表
（量程0～150mA．內(nèi)阻Rg＝3.0Ω）
C．電壓表
（量程0～3V．內(nèi)阻R約1kΩ）
D．滑動變阻器R（0～20Ω．1.0A）
E．電阻箱R0（0～99.9Ω）
F．開關(guān)和若干導線
該同學發(fā)現(xiàn)上述器材中電流表的量程較小．他想利用現(xiàn)有的電流表和電阻箱改裝成一塊量程為0～0.6A的電流表．則電阻箱R0的阻值應(yīng)取_____Ω，請在圖甲的虛線框內(nèi)畫出利用上述器材測量干電池電動勢和內(nèi)阻的實驗電路圖_____________。
（2）圖乙為該同學根據(jù)合理電路所繪出的U－I圖像（U、I分別為電壓表和電流表的示數(shù)）。根據(jù)該圖像可得被測電池的電動勢E＝_______V．內(nèi)阻r＝_______Ω。
（3）對本實驗的理解正確的是______
A．要減小實驗誤差．可以增大電源等效內(nèi)阻
B．如果縱坐標從零開始，圖線分布空間將更大
C．電壓表的分流作用導致實驗系統(tǒng)誤差
D．由于電壓表讀數(shù)變化不大．讀數(shù)不準確導致實驗系統(tǒng)誤差大
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【題目】在如圖所示電路中，合上開關(guān)S，將滑動變阻器R2的滑動觸點向b端移動，則三個電表A1、A2和V的示數(shù)I1、I2和U的變化情況是（ ）
A. I1增大，I2不變，U增大 B. I1減小，I2不變，U減小
C. I1增大，I2減小，U增大 D. I1減小，I2增大，U減小
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【題目】如圖，半徑R=2 m的光滑半圓軌道AC ，傾角為θ=37°的粗糙斜面軌道BD固定在同一豎直平面內(nèi) ，兩軌道之間由一條足夠長的光滑水平軌道AB相連，B處用光滑小圓弧平滑連接。在水平軌道上，用擋板將a、b兩物塊間的輕質(zhì)彈簧擋住后處于靜止狀態(tài)，物塊與彈簧不拴接。只放開左側(cè)擋板，物塊a恰好能通過半圓軌道最高點C；只放開右側(cè)擋板，物塊b恰好能到達斜面軌道最高點D。已知物塊a 的質(zhì)量為m1=5 kg,物塊b的質(zhì)量為m2=2.5kg，物塊與斜面間的動摩擦因數(shù)為μ=0.5，物塊到達A點或B點之前已和彈簧分離。重力加速度g取10
,sin37°=0.6，cos37°=0.8 。求：
（1）斜面軌道BD的高度h；
（2）現(xiàn)將a物塊換成質(zhì)量為M=2.5kg的物塊p，用擋板重新將a、b兩物塊間的輕質(zhì)彈簧擋住后處于靜止狀態(tài)，同時放開左右兩擋板，物塊b仍恰好能到達斜面軌道最高點D，求此問中彈簧儲存的彈性勢能以及物塊p離開C后的落點到A的距離。
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【題目】如圖所示, AB與CD為兩個對稱斜面,其上部都足夠長,下部分別與一個光滑的圓弧面的兩端相切,圓弧圓心角為120°,半徑R=2．0 m．一個質(zhì)量為2 kg的物體在離弧底E高度為h=3．0 m處,以初速度v0=4 m/s沿斜面運動,物體與兩斜面的動摩擦因數(shù)均為
=0．2．求:物體在兩斜面上（不包括圓弧部分）一共能運動多少路程?（g=10 m/s2）
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【題目】如圖所示為一種質(zhì)譜儀的工作原理示意圖,此質(zhì)譜儀由以下幾部分構(gòu)成:離子源、加速電場、靜電分析器、磁分析器、收集器.靜電分析器通道中心線半徑為R,通道內(nèi)有均勻輻射電場,在中心線處的電場強度大小為E;磁分析器中分布著方向垂直于紙面,磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場,其左邊界與靜電分析器的右邊界平行.由離子源發(fā)出一個質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子(初速度為零,重力不計),經(jīng)加速電場加速后進入靜電分析器,沿中心線MN做勻速圓周運動,而后由P點進入磁分析器中,最終經(jīng)過Q點進入收集器.下列說法中正確的是( )
A. 磁分析器中勻強磁場方向垂直于紙面向內(nèi)
B. 加速電場中的加速電壓U=ER/2
C. 磁分析器中圓心O2到Q點的距離d=
D. 任何離子若能到達P點,則一定能進入收集器
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【題目】如圖所示，光滑水平面上放置帶有半圓弧軌道面的長平板，半圓弧面直徑AB豎直且與平板表面相切于A點，整個裝置質(zhì)量為M．在裝置的右端放一質(zhì)量為m的小滑塊，與裝置一起以初速度v0向左運動．現(xiàn)給裝置加一個水平向右的恒定推力F，滑塊與長平板發(fā)生相對滑動，經(jīng)過t時間裝置速度減為零，滑塊恰好滑至長平板的左端A，此時撤去外力F并將裝置鎖定，小滑塊繼續(xù)沿半圓弧軌道運動，恰好能通過軌道最高點B．滑塊剛落回長平板的位置與A點的距離為b，重力加速度為g，求：
（1）小滑塊與長平板間的動摩擦因數(shù)μ；
（2）長平板的長度L；
（3）滑塊在通過半圓弧軌道時克服摩擦力做功W．
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【題目】在一個很小的矩形半導體薄片上，制作四個電極E、F、M、N，做成了一個霍爾元件，在E、F間通入恒定電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，M、N間的電壓為UH．已知半導體薄片中的載流子為正電荷，電流與磁場的方向如圖所示，下列說法正確的有（ ）
A. N板電勢高于M板電勢
B. 磁感應(yīng)強度越大，MN間電勢差越大
C. 將磁場方向變?yōu)榕c薄片的上、下表面平行，UH不變
D. 將磁場和電流分別反向，N板電勢低于M板電勢
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