Question

現有部分前四周期元素的性質或原子結構如下表：

元素編號	元素性質或原子結構
A	第三周期中的半導體材料
B	L層s電子數比p電子數少1
C	屬于第二周期，原子中有2個未成對電子
D	前四周期呀中其未成對電子數最多

（1）B單質分子中，含有______個σ鍵和______個π鍵，元素B的氣態氫化物的空間型為______．
（2）若C是固體，C單質的熔點______A單質的熔點（填“高于”或“低于”），若C的單質是氣體，A與C形成的化合的晶體類型是______．
（3）寫出元素D基態原子的電子排布式：______．

Answer 1

【答案】分析：A是第三周期中的半導體材料，故A為Si元素；B元素原子L層s電子數比p電子數少1，則外圍電子排布為2s²2p³，故B為氮元素；C屬于第二周期，原子中有2個未成對電子，則外圍電子排布為2s²2p²，或則外圍電子排布為2s²2p⁴，故C為碳元素或氧元素；前四周期中其未成對電子數最多，則外圍電子排布為3d⁵4s¹，核外電子數為24，為Cr元素，據此解答．
解答：解：A是第三周期中的半導體材料，故A為Si元素；B元素原子L層s電子數比p電子數少1，則外圍電子排布為2s²2p³，故B為氮元素；C屬于第二周期，原子中有2個未成對電子，則外圍電子排布為2s²2p²，或則外圍電子排布為2s²2p⁴，故C為碳元素或氧元素；前四周期中其未成對電子數最多，則外圍電子排布為3d⁵4s¹，核外電子數為24，D為Cr元素，
（1）氮氣分子中氮原子之間形成N≡N三鍵，含有1個σ鍵、2個π鍵，元素B的氣態氫化物為NH₃，分子中氮原子成3個N-H鍵，氮原子含有1對孤對電子，故為三角錐型，
故答案為：1；2；三角錐型；
（2）若C是固體，則C為碳元素，C-C鍵鍵長小于Si-Si鍵鍵長，故碳的單質熔點高于硅單質．若C的單質是氣體，則C為氧元素，氧氣與硅形成的化合物二氧化硅屬于原子晶體，故答案為：高于；原子晶體；
（3）D為Cr元素，外圍電子排布為3d⁵4s¹，則Cr元素基態原子的電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹，故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹．
點評：本題考查結構性質位置關系、分子結構與化學鍵、晶體類型與性質、核外電子排布規律等，難度不大，注意基礎知識的理解掌握．