Question

（13分）、短周期元素X、Y、Z、W、Q的原子序數依次增大，Y原子最外層電子數是次外層的2倍，X、W可分別與Z組成常見化合物X₂Z、X₂Z₂、W₂Z、W₂Z₂，Q的單質是常見的半導體材料。請回答：
（1）Y在元素周期表中的位置是　　　　　　　　　 。
（2）X₂Z的電子式是　　　　　　　　　　 。
（3）W₂Z₂與X₂Z反應的化學方程式是　　　　　　　　　　 。
（4）上述元素中有兩種非金屬元素位于同一主族。能證明它們非金屬性強弱的一個反應的化學方程式是　　　　　　　　　　 。
（5）在 25℃、101 kPa下，Q的氣態氫化物在氧氣中完全燃燒可得Q的最高價氧化物，反應中每轉移1mol e^－放熱190．0 kJ。則該反應的熱化學方程式是　　　　　　　　　　 。

Answer 1

(1)第2周期ⅣA族
(2)
(3)2Na₂0₂+2H₂0＝4NaOH+O₂
(4)CO₂+H₂0+Na₂SiO₃＝Na₂CO₃+H₂Si0₃(膠體)
(5)SiH₄(g)+20₂(g)＝Si0₂(s)+2H₂O(l)　　AH=一1520.0　kJ／mol

Y原子最外層電子數是次外層的2倍可以確定Y元素是C，Q的單質是常見的半導體材料則Q為Si，X、W可分別與Z組成常見化合物X₂Z、X₂Z₂、W₂Z、W₂Z₂，常見的此類化合物由H₂O，H₂O₂，Na₂O,Na₂O₂可以判斷X是H，Z是O，W是Na;
（1）      C在周期表中的位置是第2周期ⅣA族
（2）      X₂Z是H₂O，電子式是
（3）過氧化鈉與水反應的方程式為2Na₂0₂+2H₂0＝4NaOH+O₂
（4）碳元素和硅元素位于同一主族，證明二者的非金屬性強弱可以通過最高氧化物對應水化物的酸性大小進行比較，CO₂+H₂0+Na₂SiO₃＝Na₂CO₃+H₂Si0₃(膠體)，碳酸的酸性比硅酸強，說明碳的非金屬性比硅強。
（5）Q的氣態氫化物是SiH₄，在氧氣中燃燒時轉移1mol e^－放熱190．0 kJ則可以得到有1mol SiH₄參與反應時放出的熱量為1520.0　kJ，所以熱化學方程式為SiH₄(g)+20₂(g)＝Si0₂(s)+2H₂O(l)　　AH=一1520.0　kJ／mol。