【題目】下列屬于氧化還原反應的是( )
A. 2NaHCO3
Na2CO3＋CO2↑＋H2O B. Na2O＋H2O===2NaOH
C. 2KI＋Br2===2KBr＋I2 D. MgO＋2HCl===MgCl2＋H2O
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【題目】已知 X、Y、Z、Q、R、E六種元素中，原子序數X＜Y＜Z＜Q＜R＜E，其結構或性質信息如下表。
元素 | 結構或性質信息 |
X | 原子的L層上s電子數等于p電子數。 |
Y | 原子核外的L層有3個未成對電子。 |
Z | 在元素周期表的各元素中電負性僅小于氟。 |
Q | 單質常溫、常壓下是氣體，原子的M層上有1個未成對的p電子。 |
R | 核電荷數是Y與Q的核電荷數之和 |
E | 原子序數比R大3 |
請根據信息回答有關問題：
（1）元素Y的原子核外共有_____種不同運動狀態的電子，有______種不同能級的電子。
（2）X、Y、Z三種元素的電負性由高到低的排列次序依次為（寫元素符號）_______。
（3）R的最高化合價為_____________。R的一種配合物的化學式為RCl3·6H2O。
已知0.01 mol RCl3·6H2O在水溶液中用過量硝酸銀溶液處理，產生0.02 mol AgCl沉淀。此配合物最可能是___________。
A．[R(H2O)6]Cl3 B．[R(H2O)5Cl]Cl2·H2O
C．[R(H2O)4Cl2]Cl·2H2O D．[R(H2O)3Cl3]·3H2O
（4）元素E能形成八面體構型的配合物離子[E (YH3) x Q 2]+，則中心離子為（寫化學式）_______，配位體為（寫化學式）_______________________，x 的值為______。
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【題目】關于堿金屬元素的下列敘述中，錯誤的是（ ）
A. 堿金屬元素原子最外層都只有1個電子
B. 隨核電荷數遞增，氫氧化物堿性增強
C. 依Li、Na、K、Rb、Cs，單質熔沸點升高，密度增大
D. 隨電子層數增加，原子半徑增大，金屬性增強
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【題目】用NA表示阿伏德羅常數的值，下列敘述正確的是（ ）
A. 常溫常壓下，1.06g Na2CO3含有的Na+離子數為0.01 NA
B. 標準狀況下，22.4LH2O含有的分子數為1 NA
C. 通常狀況下，1 NA 個CO2分子占有的體積為22.4L
D. 標準狀況下，22.4LH2與O2的混合氣體所含分子數為NA
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【題目】四種短周期主族元素在周期表中的位置如圖，則下列說法錯誤的是
A. 若Y的最簡單氫化物的沸點比M的低,則X單質可與強堿溶液反應
B. 簡單陰離子半徑M>Z>Y
C. 若Y的氫化物水溶液呈堿性，則X的氧化物不與任何酸反應
D. 最高價氧化物對應水化物的酸性Z>M
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【題目】設NA為阿伏加德羅常數的值，下列說法不正確的是
A. 3.2 gO2和O3的混合氣體中，含氧原子數為0. 2NA
B. 標準狀況下，2. 24 L的Cl2溶于水，久置最終可生成O2分子數為0. 05 NA
C. 標準狀況下，22.4 L的CHCl3含有碳氯鍵3 NA
D. 1 mol苯乙烯分子中含有的碳碳雙鍵數為NA
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【題目】下列操作不能用于檢驗NH3的是
A．氣體使濕潤的酚酞試液變紅
B．氣體能使濕潤的紅色石蕊試紙變藍
C．氣體與蘸有濃H2SO4的玻璃棒靠近
D．氣體與蘸有濃鹽酸的玻璃棒靠近
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【題目】單晶硅是制作電子集成電路的基礎材料。科學家預計，到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管，其功能遠比我們想象的要大的多，這對硅的純度要求很高．用化學方法可制得高純度硅，其化學方程式為：（ ）
①SiO2+2C
Si+2CO↑ ②Si+2Cl2
SiCl4 ③SiCl4+2H2
Si+4HCl，
下列對上述三個反應的敘述中，不正確的是（ ）
A. ①③為置換反應 B. ②為化合反應
C. ①②③均為氧化還原反應 D. 三個反應的反應物中硅元素均被還原
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