【題目】下列各項比較中前者高于（或大于或強于）后者的是
A. CH4在水中的溶解度和NH3在水中的溶解度
B. I2在水中的溶解度和I2在CCl4中的溶解度
C. I與H形成共價鍵的極性和F與H形成共價鍵的極性
D. 對羥基苯甲醛（
）和鄰羥基苯甲醛（
）的沸點
第1卷單元月考期中期末系列答案科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】實驗室在常溫下將濃鹽酸與高錳酸鉀混合能夠制氣氣，反應的化學方程式為：2KMnO4+16HCl（濃）═2KCl+2MnCl2+5Cl2↑+8H2O下列有關該反應的說法正確的是
A.KMnO4是還原劑
B.HCl是氧化劑
C.HCl中的氯元素得到電子
D.KMnO4中的Mn元素被還原
查看答案和解析>>
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】某強酸性無色溶液中可能含下表離子中的若干種離子。
陽離子 | Mg2+、NH4+、Ba2+、Al3+、Fe2+ |
陰離子 | SiO32-、MnO4-、Cl-、NO3-、SO32- |
實驗I ：取少量該試液進行如下實驗。
實驗Ⅱ：為了進一步確定該溶液的組成，取100 mL原溶液，向該溶液中滴加1 mol L-l的 NaOH溶液，產生沉淀的質量與氫氧化鈉溶液體積的關系如圖所示。
回答下列問題：
（1）不進行實驗就可以推斷出，上表中的離子一定不存在的有___________種。
（2）通過實驗I可以確定該溶液中一定存在的陰離子是_____________。檢驗氣體X的方法是______________________；沉淀Z的化學式為_________________。
（3）寫出實驗Ⅱ的圖象中BC段對應的離子方程式：_____________________________________。
（4） A點對應的固體質量為__________g。
（5）通過上述信息，推算該溶液中陰離子的濃度為______________mol L-l。
查看答案和解析>>
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】一定溫度下，某密閉恒容的容器內可逆反應A(g)+3B(g)
2C(g)達到平衡狀態的標志
A. A的消耗速率是C的分解速率1/2倍
B. 容器內混合氣體的密度不隨時間而變化
C. 單位時間內生成nmolA，同時生成3nmolB
D. A、B、C的分子數之比為1:3:2
查看答案和解析>>
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】糖類、脂肪、蛋白質三大類營養物質在消化道中消化的先后順序是（ ）
A.糖類、脂肪、蛋白質B.蛋白質、糖類、脂肪
C.脂肪、糖類、蛋白質D.糖類、蛋白質、脂肪
查看答案和解析>>
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】福酚美克是一種影響機體免疫力功能的藥物，可通過以下方法合成：
（1）物質A的名稱是__________________________
（2）B→C的轉化屬于_______反應（填反應類型）。
（3）上述流程中設計A→B步驟的目的是_________________________________。
（4）A與足量氫氧化鈉溶液反應的方程式為：_________________________________。
（5）A的同分異構體X滿足下列條件：
Ⅰ．能與NaHCO3反應放出氣體； Ⅱ．能與FeCl3溶液發生顯色反應。
符合上述條件的同分異構體有______種。其中核磁共振氫譜有5組吸收峰的結構簡式為_____________。
（6）參照上述合成路線和信息，以乙醛為原料（無機試劑任選），設計制
的合成路線：____________________________。
查看答案和解析>>
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】往鍋爐注入Na2CO3溶液浸泡，將水垢中的CaSO4轉化為CaCO3，再用鹽酸去除，下列敘述正確的是
A. 溫度升高Na2CO3溶液的Kw和c(H+)均會增大
B. CaSO4能轉化為CaCO3，說明Ksp(CaCO3)＞Ksp(CaSO4)
C. CaCO3溶解于鹽酸而CaSO4不溶，是因為硫酸酸性強于鹽酸
D. 沉淀轉化的離子方程式為CO32(aq)+CaSO4(s)
CaCO3(s)+SO42(aq)
查看答案和解析>>
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】第三代半導體材料氮化鎵(GaN)適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常稱為高溫半導體材料。回答下列問題：
(1)基態Ga原子價層電子的軌道表達式為_________________________，第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有_______種。
(2)HCN分子中σ鍵與π鍵的數目之比為_______，其中σ鍵的對稱方式為___________。與CN—互為等電子體的分子為___________。
(3)NaN3是汽車安全氣囊中的主要化學成分，其中陰離子中心原子的雜化軌道類型為_________。NF3的空間構型為____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半導體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點如下表所示，分析其變化原因_________________________________________________________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔點 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞結構如下圖所示。已知六棱柱底邊邊長為a cm，阿伏加德羅常數的值為NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數目為_____________；
② GaN的密度為______________________g·cm3(用a、NA表示)。
查看答案和解析>>
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】在某溫度下，將2molA和3molB充入一密閉容器中，發生反應：aA(g)+B(g) 
C(g)+D(g)，5min后達到平衡，各質的平衡濃度的關系為：[A]a[B]=[C][D]。此時若在溫度不變的情況下將容器的體積擴大為原來的10倍，A的轉化率不發生變化，則B的轉化率為
A. 60% B. 40% C. 24% D. 4%
查看答案和解析>>
湖北省互聯網違法和不良信息舉報平臺 | 網上有害信息舉報專區 | 電信詐騙舉報專區 | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區 | 涉企侵權舉報專區
違法和不良信息舉報電話：027-86699610 舉報郵箱：58377363@163.com
