Question

（12分）第一電離能I₁是指氣態原子X（g）處于基態時，失去一個電子成為氣態陽離子X^＋（g）所需要的能量。下表是部分元素原子的第一電離能I₁：（單位）

H							He
1.3120							0.3723
Li	Be	B	C	N	O	F	Ne
0.5203	0.8995	0.8001	1.0864	1.4023	1.3140	1.6810	2.0807
Na	Mg	Al	Si	P	S	Cl	Ar
0.4958	0.7377	0.5776	0.7865	1.0118	0.9996	1.2511	1.5205
K	Ca	Ga	Ge	As	Se	Br	Kr
0.4189	0.5898	0.5788		0.9440	0.9409	1.1399	1.3507
Rb	Sr	In	Sn	Sb	Te	I	Xe
0.4030	0.5495	0.5583	0.7086	0.8316	0.8693	1.0084	1.1704
Cs	Ba	Tl	Pb	Bi	Po	At

回答下列問題：
（1）從表中數據可知，同一主族元素原子的第一電離能I₁變化規律是　　　　　　　　　　。說明同一主族元素　　　　　　　能力從上到下逐漸增強。
（2）從表中數據預測Ge元素第一電離能I₁的最小范圍          。
（3）SiC是原子晶體，其結構類似金剛石，為C、Si兩原子依次相同排列的正四面體空間網狀結構。如圖為兩個中心重合，各面分別平行的兩個正方體，其中心為Si原子，試在小正方體的頂點畫出與Si最近的C（用表示）的位置，在大正方體的棱、頂、面等處畫出相應Si（用表示）的位置。

Answer 1

從上到下依次減小，失電子。 （2）0.7086—0.7865（3分）
（3）畫對碳原子得1分，畫對硅原子得2分。（共3分）

（1）從表中數據可知，同一主族元素原子的第一電離能I₁變化規律是從上到下依次減小，說明失電子的能力逐漸增強。
（2）同主族自上而下第一電離能逐漸減小，所以Ge的第一電離能大小范圍是0.7086—0.7865。
（3）金剛石的中4個碳原子構成正四面體，所以小正方體中與Si最近的C原子位于四面體的4個頂點上，答案如圖所示。