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金屬晶體:簡單立方.鉀型.鎂型和銅型【查看更多】

題目列表(包括答案和解析)

下列有關(guān)晶體的說法錯誤的是（　　）

A、氯化鈉晶體中，每個晶胞中平均含有4個鈉離子和4個氯離子

B、在金剛石晶體中，1 mol碳原子形成2 mol碳碳共價鍵

C、只有金屬Po的晶體采取簡單立方堆積，其空間利用率最高

D、在干冰晶體中，每一個二氧化碳分子周圍有12個二氧化碳分子緊密相鄰

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下列有關(guān)晶體的說法中，正確的是（　　）

A、分子晶體中的分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定

B、原子晶體中的共價鍵鍵長越短、鍵能越大，晶體的熔點越高

C、在面心立方堆積的金屬晶體中，每個金屬原子周圍緊鄰有4個金屬原子

D、在氯化鈉晶體中，鈉離子或氯離子的配位數(shù)都為8

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有A、B、C、D、E、M、X七種元素．其相關(guān)信息如下：

	相關(guān)信息
①	A的基態(tài)原子2p軌道中有三個未成對電子
②	A、B元素的常見單質(zhì)是構(gòu)成空氣的主要成分
③	C是電負(fù)性最大的元素
④	D是主族元素，基態(tài)原子有四個能層，且最外能層上只有兩個電子
⑤	D、E、M、X四種元素處于同一周期； M與E又位于同一族，M的原子序數(shù)比E多1，M的基態(tài)原子中含有三個未成對電子； X原子外圍電子排布式為3d¹⁰4s¹

請下列問題：
（1）A元素的電負(fù)性與B的電負(fù)性相比，電負(fù)性較大的是

（填寫元素符號）．M的原子序數(shù)為

；X元素在周期表中的位置是

第四周期第IB族

．
（2）A與C組成AC₃分子的VSEPR模型為

四面體

，AB₃^-離子的空間構(gòu)型為

平面三角形

．
（3）畫出B元素原子的核外電子排布圖

；E³⁺離子的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵

．；
（4）E、X晶體晶體的堆積模型依次為體心立方堆積、面心立方最緊密堆積，其配位數(shù)依次為

8、12

．
（5）C與D可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示．若該晶胞的邊長為500.0pm．若該晶體的密度為

4.15

g/cm³（列式并計算）．

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有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是（　　）

A、在NaCl晶體中，距Na⁺最近的Cl^-形成正八面體

B、在NaCl晶體中，每個晶胞平均占有4個Na⁺

C、在CsCl晶體中，每個晶胞平均占有8個Cs⁺

D、銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個銅原子最近的其它銅原子的個數(shù)）為12

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有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是(　　)

A．在NaCl晶體中，距Na^＋最近的Cl^－形成正八面體

B．在NaCl晶體中，每個晶胞平均占有4個Na^＋

C．在CsCl晶體中，每個晶胞平均占有8個Cs^＋

D．銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個銅原子最近的其它銅原子的個數(shù)）為12

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