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（2009?宿遷模擬）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外電子層的p能級（軌道）上的電子處于半滿狀態．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結構如右下圖所示．原子序數為31的元素鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質為代表的第一代半導體材料和GaE為代表的第二代半導體材料之后，在近10年迅速發展起來的第三代新型半導體材料．
試回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示）
（1）基態Ga原子的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序為

N＞C＞Si

N＞C＞Si

．
（3）B元素的單質分子中有

2

2

個π鍵，與其互為等電子體的物質的化學式可能為

CO（或其他合理答案）

CO（或其他合理答案）

（任寫一種）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取

sp

sp

雜化，其晶胞中微粒間的作用力為

范德華力

范德華力

．
（5）EH₃分子的空間構型為

三角錐形

三角錐形

，其沸點與BH₃相比

低

低

（填“高”或“低”），原因是

NH₃分子間能形成氫鍵，AsH₃分子間不能形成氫鍵

NH₃分子間能形成氫鍵，AsH₃分子間不能形成氫鍵

．
（6）向CuSO₄溶液中逐滴加入BH₃的水溶液，得到深藍色的透明溶液．請寫出該反應的離子方程式

Cu²⁺+2NH₃?H₂O=Cu（OH）₂+2NH₄⁺、Cu（OH）₂+4NH₃=[Cu（NH₃）₄]²⁺+2OH^-

Cu²⁺+2NH₃?H₂O=Cu（OH）₂+2NH₄⁺、Cu（OH）₂+4NH₃=[Cu（NH₃）₄]²⁺+2OH^-

．

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已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數A＜B＜C＜D＜E＜F．其中B、D、F原子最外電子層的P能級（軌道）上的電子處于半滿狀態．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結構如圖所示．E的電負性在該周期中最大．鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質為代表的第一代半導體材料和GaF為代表的第二代半導體材料之后，在近10年迅速發展起來的第三代新型半導體材料．
試回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E、F用所對應的元素符號表示）
（1）基態Ga原子的核外電子排布式為

 

．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序為

 

．
（3）B元素的單質分子中有

 

個π鍵．
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取

 

雜化，其晶胞中微粒間的作用力為

 

．
（5）FH3沸點與比BH₃

 

（填“高”或“低”），原因是

 

．
（6）固體CrE₃?6H₂O溶于水可能有幾種不同組成的配離子，實驗將含0.2665gCrE₃?6H₂O的溶液通過H-離子交換樹脂（只交換配陽離子），交換出的酸用0.125mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和．已知配離子配位數為6，則該配離子是

 

．

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一、1.C  2.D  3.C  4.D  5.B  6.D  7.A  8.A  9.C?

二、10.(1)3,4―二甲基辛烷  10?

（2）環十二烷  18 ?

11.（1）O₂、CuO?

（2）CaCl₂、P₂O₅  堿石灰?

（3）w(C)=%?

12.A為CH₄，B為C₃H₈時，兩者的體積比為：V（CH₄）∶V（C₃H₈）=1∶3；A為C₂H₆，B為C₄H₁₀時，兩者的體積比為V（C₂H₆）∶V（C₄H₁₀）=3∶1

13.（1）g f e h i c d（或d c）a b（或b a）；?

（2）吸收水分，干燥O₂?

（3）作催化劑，加大產生O₂的速率?

（4）使有機物更充分的氧化成CO₂和H₂O?

（5）CH₂O  （6）測定有機物的式量?

14.（1）CH₄+2O₂

1 mol             80 g

原混合氣體中n(CH₄)==0.0075 mol?

則V（CH₄）=0.0075 mol×22.4×10³ mL?mol^－1=168 mL?

故剩余氣體840 mL－3×168 mL=336 mL

(2)V（CH₄）∶V(O₂)=168 mL∶(840 mL－168 mL)?=1∶4