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(2)速度方向沿軸正方向射入磁場的質(zhì)子. 【查看更多】

如圖所示，x軸正方向水平向右，y軸正方向豎直向上。在xOy平面內(nèi)有與y軸平行的勻強電場，在半徑為R的圓內(nèi)還有與xOy平面垂直的勻強磁場。在圓的左邊放置一帶電微粒發(fā)射裝置，它沿x軸正方向發(fā)射出一束具有相同質(zhì)量m、電荷量q（q＞0)和初速度v的帶電微粒。發(fā)射時，這束帶電微粒分布在0＜y＜2R的區(qū)間內(nèi)。已知重力加速度大小為g。

（1）從A點射出的帶電微粒平行于x軸從C點進入有磁場區(qū)域，并從坐標(biāo)原點O沿y軸負方向離開，求電場強度和磁感應(yīng)強度的大小與方向。

（2）請指出這束帶電微粒與x軸相交的區(qū)域，并說明理由。

（3）若這束帶電微粒初速度變?yōu)?v，那么它們與x軸相交的區(qū)域又在哪里？并說明理由。

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如圖所示，x軸正方向水平向右，y軸正方向豎直向上。在xOy平面內(nèi)有與y軸平行的勻強電場，在半徑為R的圓內(nèi)還有與xOy平面垂直的勻強磁場。在圓的左邊放置一帶電微粒發(fā)射裝置，它沿x軸正方向發(fā)射出一束具有相同質(zhì)量m、電荷量q（q>0）和初速度v的帶電微粒。發(fā)射時，這束帶電微粒分布在0＜y＜2R的區(qū)間內(nèi)。已知重力加速度大小為g。
（1）從A點射出的帶電微粒平行于x軸從C點進入有磁場區(qū)域，并從坐標(biāo)原點O沿y軸負方向離開，求點場強度和磁感應(yīng)強度的大小和方向。
（2）請指出這束帶電微粒與x軸相交的區(qū)域，并說明理由。
（3）若這束帶電微粒初速度變?yōu)?v，那么它們與x軸相交的區(qū)域又在哪里？并說明理由。

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帶電粒子的質(zhì)量為m，電量為q，以初速度v沿y軸正方向從原點O射入一半徑為r的圓形磁場區(qū)域后，又從磁場射出．圓形磁場垂直于xOy平面，磁場邊界過坐標(biāo)原點O，磁感應(yīng)強度為B，帶電粒子的重力不計，它在磁場中做勻速圓周運動，軌跡圓半徑R＞r．

(1)改變磁場區(qū)域的位置，可以改變帶電粒子穿越磁場時的速度偏轉(zhuǎn)角，為使偏轉(zhuǎn)角有最大值，該磁場區(qū)域的圓心應(yīng)在什么位置，最大偏轉(zhuǎn)角多大?

(2)為使帶電粒子從圓形磁場區(qū)域中射出后能通過Ox軸上某點，該磁場區(qū)域半徑應(yīng)滿足怎樣的條件?

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利用電場、磁場可以控制帶電粒子的運動．如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xOy中，有一個半徑為r的圓形區(qū)域，其圓心坐標(biāo)為（r，0）．在這個區(qū)域內(nèi)存在磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于xOy平面向里的勻強磁場．在直線y=r的上方足夠大的區(qū)域內(nèi)，存在沿y軸負方向的勻強電場，電場強度的大小為E．一質(zhì)子從O點沿x軸正方向射入磁場，在磁場中做半徑為r的勻速圓周運動．已知質(zhì)子的質(zhì)量為m，電荷量為q，不計質(zhì)子的重力．求：
（1）質(zhì)子射入磁場時速度的大小υ；
（2）質(zhì)子從O點進入磁場到第二次離開磁場經(jīng)歷的時間t．

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利用電場、磁場可以控制帶電粒子的運動．如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xOy中，有一個半徑為r的圓形區(qū)域，其圓心坐標(biāo)為（r，0）．在這個區(qū)域內(nèi)存在磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直于xOy平面向里的勻強磁場．在直線y=r的上方足夠大的區(qū)域內(nèi)，存在沿y軸負方向的勻強電場，電場強度的大小為E．一質(zhì)子從O點沿x軸正方向射入磁場，在磁場中做半徑為r的勻速圓周運動．已知質(zhì)子的質(zhì)量為m，電荷量為q，不計質(zhì)子的重力．求：
（1）質(zhì)子射入磁場時速度的大小υ；
（2）質(zhì)子從O點進入磁場到第二次離開磁場經(jīng)歷的時間t．