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精英家教網(wǎng) > 高中化學(xué) > 題目詳情

同一個(gè)原子的下列電子層中，能量最低的是( )

A.K層 B.L層 C.M層 D.N層

解析：按K、L、M、N、……的順序，電子離核由近及遠(yuǎn)，能量由低到高。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2010年上海世博會(huì)場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是

[Ar]3d¹⁰4s²4p¹

．
（2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為

，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為

正四面體

．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是

NH₃＞AsH₃＞PH₃

．（用氫化物分子式表示）
（4）砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃時(shí)制得．（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為

sp²

．
（5）比較二者的第一電離能：As

＞

Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列說法正確的是

BCD

（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負(fù)性：As＞Ga D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）下列是部分金屬元素的電離能

	X	Y	Z
第一電離能（kJ/mol）	520.2	495.8	418.8

①已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns¹，則三種金屬的氯化物（RCl）的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?!--BA-->

ZCl＜YCl＜XCl

．
②RCl用作有機(jī)合成催化劑，并用于顏料、防腐等工業(yè)．R⁺中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與Cl^-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示．R的元素符號(hào)是

，與同一個(gè)Cl^-相連的R⁺有

個(gè)．
（2）納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域．A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大，可用作燃料．已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：

電離能（kJ/mol）	I₁	I₂	I₃	I₄
A	932	1821	15390	21771
B	738	1451	7733	10540

①某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如圖2所示，所畫的電子排布圖違背了

能量最低原理

．
②A和氯元素形成的簡單分子為

非極性分子

（填“極性分子”或“非極性分子”）．
（3）氫氣作為一種清潔能源，必須解決它的儲(chǔ)存問題，C₆₀可用作儲(chǔ)氫材料．
已知金剛石中的C-C的鍵長為154.45pm，C₆₀中C-C鍵長為145～140pm，有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C₆₀的熔點(diǎn)高于金剛石，你認(rèn)為是否正確

否

（填“是”或“否”），并闡述理由

因?yàn)榻饎偸窃泳w，而C₆₀是分子晶體

．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列是部分金屬元素的電離能

	X	Y	Z
第一電離能（kJ/mol）	520.2	495.8	418.8

（1）已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns¹，則三種金屬的氯化物（RCl）的熔點(diǎn)由低到高的順序?yàn)?!--BA-->

ZCl＜YCl＜XCl

．
（2）CuCl用作有機(jī)合成催化劑，并用于顏料，防腐等工業(yè)．CuCl的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示．元素Cu基態(tài)原子的電子排布式

[Ar]3d¹⁰4s¹

，與同一個(gè)Cl^-相連的 Cu⁺有

個(gè)．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

如表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．

試回答下列問題：

（1）請(qǐng)寫出元素O的基態(tài)原子電子排布式

．
（2）c元素的一種同素異形體與熔融的n單質(zhì)形成石墨間隙化合物，比較常見的石墨間隙化合物是青銅色的化合物，其化學(xué)式可寫作C_xK，其平面圖形見圖1，則x值為

．
（3）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖2，其中序號(hào)“8”代表

（填元素符號(hào)）；其中電負(fù)性最大的是

（填右圖中的序號(hào)）．
（4）由i原子跟d原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．則i與d形成的晶體中一個(gè)晶胞中含有4個(gè)i原子；與同一個(gè)i原子相連的d原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為

，d原子的雜化類型為

．
（5）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖3甲所示，其晶胞特征如圖3乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖3丙所示．若已知i的原子半徑為dcm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對(duì)原子質(zhì)量為M，則該晶體的密度為

_g/cm³ （用字母表示）．

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科目：高中化學(xué) 來源：2011-2012學(xué)年四川省南充高中高二第一次月考化學(xué)試卷 題型：填空題

(20分)(1)在同一個(gè)原子中，離核越近、n越小的能層中的電子能量越。理論研究證明，多電子原子中，同一能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級(jí)，第三能層有3個(gè)能級(jí)，分別為3s、3p和。現(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實(shí)，原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫做原子。
(2)寫出下列基態(tài)原子的簡化電子排布式：
①₁₄Si　　　　　　；②₂₆Fe 。
(3)按所示格式填寫下表中的空格：

原子序數(shù)	原子的價(jià)電子排布式	周期	族
17		第三
	3d⁵4s¹		ⅥB

(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol^－¹，N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol^－¹，計(jì)算說明N₂中的
      鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
(5)在配離子[Fe(SCN)]²⁺中，提供空軌道接受孤電子對(duì)的微粒是     ，配離子 [Cu(NH₃)₄]²⁺的配體是              。
(6)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷：
①NH₃分子中，中心原子上的σ鍵電子對(duì)數(shù)為       ，孤電子對(duì)數(shù)為      ，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為       ，中心原子的雜化方式為    雜化，VSEPR構(gòu)型為           ，分子的立體構(gòu)型為

。
②BF₃分子中，中心原子的雜化方式為

雜化，分子的立體構(gòu)型為。

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