【題目】aX（g）＋bY（g） 
cZ（g）＋dW（g）在一定容積的密閉容器中反應，5 min時達到平衡，X減少 n mol·L－1，Y減少
mol·L－1，Z增加
mol·L－1。若將體系壓強增大，W的百分含量不發生變化。則化學方程式中各物質的化學計量數之比a∶b∶c∶d應為 （ ）
A．3∶1∶2∶1 B．1∶3∶2∶2
C．1∶3∶1∶2 D．3∶1∶2∶2
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【題目】甲、乙兩元素原子的L層電子數都是其他層電子總數的2倍。下列推斷正確的是( )
A. 甲與乙位于同一周期 B. 甲與乙位于同一主族
C. 甲與乙都位于元素周期表的p區 D. 甲與乙的原子序數之和為偶數
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【題目】有以下物質相互轉化
(1)A轉化為B及氣體這步反應中應加入的試劑是 。
(2)寫出B的化學式 D的化學式 。
(3)寫出由E轉變成F的化學方程式 。
(4)寫出鑒別G溶液所涉及的離子方程式 ；向G溶液中加入A的有關離子反應方程式是 。
(5)用G溶液腐蝕印刷電路板上的銅所發生的化學反應方程式為：
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【題目】我國有豐富的海水資源，開發和利用海水資源是當前科學研究的一項重要任務，下圖是某化工廠對海水資源綜合利用的示意圖
請根據以上信息回答下列問題：
(1)上圖④的反應條件是點燃，請寫出N_________（填化學式）。
(2)寫出反應②電解飽和食鹽水的化學方程式：______________________________。
（3）粗鹽中含有Ca2＋、Mg2＋、SO等雜質，精制時所用的試劑為：①鹽酸 ②氯化鋇溶液 ③氫氧化鈉溶液 ④碳酸鈉溶液，以上試劑添加的順序可以為____________。
A．②③④① B．③②④①
C．④③②① D．③④②①
（4）提取粗鹽后剩余的海水(母液)中，可用來提取Mg，根據上述提取Mg的流程，沒有涉及到的反應類型是____________。
A．分解反應 B．化合反應 C．復分解反應 D．置換反應
（5）提取粗鹽后剩余的海水(母液)中，可用來提取Br2，反應⑥所用的氣態氧化劑的尋找貨源的設想，其中合理的是____________。
A．從外地購買 B．在當地新建生產廠
C．從本廠生產燒堿處循環 D．從本廠生產鎂單質處循環
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【題目】下列說法正確的是( )
A. 碘晶體受熱轉變為碘蒸氣，吸收的熱量用于克服碘原子間的作用力
B. 硫酸鉀和硫酸溶于水都電離出硫酸根離子，所以它們在熔融狀態下都能導電
C. 在N2、CO2和SiO2物質中，都存在共價鍵，它們都是由分子構成
D. H2和Cl2在光照條件反應生成HCl，一定有共價鍵的斷裂和形成
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【題目】我國科學家在天然氣脫硫研究方面取得了新進展，利用如圖裝置可發生反應H2S+O2=H2O2+S，已知甲池中發生的反應為
下列說法正確的是（ ）
A．該裝置中電能轉化為光能
B．H+從甲池移向乙池
C．甲池中碳棒上發生的電極反應為AQ+2H+-2e-=H2AQ
D．乙池溶液屮發生的反應為H2S+I3-=3I-+S+2H+
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【題目】二氧化鈰(CeO2)是一種重要的稀土化合物。以氟碳鈰礦(主要含CeFCO3)為原料制備 CeO2的一種工藝流程如下：
已知：①Ce4+能與F-結合成[CeFx](4-x)+，也能與SO42-結合成[CeSO4]2+；
②在硫酸體系中Ce4+能被萃取劑[(HA)2 ]萃取，而Ce3+不能。
回答下列問題：
（1）“氧化焙燒”前需將礦石粉碎成細顆粒，其目的是_____________。
（2）“酸浸”中會產生大量黃綠色氣體，寫出CeO2與鹽酸反應的離子方程式：____________；為避免產生上述污染，請提出一種解決方案：_____________。
（3）“萃取”時存在反應：Ce4+ +n(HA)2
Ce·(H2n-4A2n)+4H+。實驗室中萃取時用到的主要玻璃儀器名稱為____________；下圖中D時分配比，表示Ce(Ⅳ)分別在有機層中與水層中存在形式的物質的量濃度之比(
)。保持其它條件不變，在起始料液中加入不同量的Na2SO4以改變水層中的c(SO42-)，D隨起始料液中c(SO42-)變化的原因：__________。
（4）“反萃取”中，在稀硫酸和H2O2的作用下CeO2轉化為Ce3+。H2O2在該反應中作_________(填“催化劑”“氧化劑”或“還原劑”)，每有1molH2O2參加反應，轉移電子的物質的量為__________。
（5）“氧化”步驟的化學方程式為_____________。
（6）取上述流程中得到的CeO2產品0.4500 g，加硫酸溶解后，用0.1000mol/LFeSO4標準溶液滴定至終點時(鈰被還原為Ce3+，其他雜質均不反應)，消耗25.00 mL標準溶液。該產品中CeO2的質量分數為_________。
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【題目】周期表中16號元素和4號元素的原子相比較，前者的下列數據是后者的4倍的是（ ）
A. 電子數 B. 最外層電子數 C. 電子層數 D. 次外層電子數
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