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已知X為第三周期元素的原子，該原子要達到8電子穩定結構，則需要的電子數小于其次外層和最內層的電子數之差，且等于最內層電子數的整數倍。下列說法正確的是（）

A．X元素最高價氧化物對應的水化物一定是強酸

B．X元素的氫化物的化學式一定為H₂X

C．X的單質一定是良好的半導體材料

D．X元素的氧化物一定能與燒堿反應

第三周期元素的次外層有8個電子，最內層有2個電子，二者之差為6。因為該原子達到8電子穩定結構需要的電子數小于6，則需要的電子數為2或4。若為2，則X為S；若為4，則X為Si，硅酸為弱酸，A錯；硅的氫化物為SiH₄，B錯；S單質不能作半導體材料，C錯；SO₂、SO₃和SiO₂都能與燒堿反應，D正確。

練習冊系列答案

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相關習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優良的高溫結構陶瓷，在工業生產和科技領域有重要用途。
（1）Al與NaOH溶液反應的離子方程式為                                    。
（2）下列實驗能比較鎂和鋁的金屬性強弱的是           （填序號）。
a．測定鎂和鋁的導電性強弱
b．測定等物質的量濃度的Al₂(SO₄)₃和MgSO₄溶液的pH
c．向0.1 mol/LAlCl₃和0.1 mol/L MgCl₂中加過量NaOH溶液
（3）鋁熱法是常用的金屬冶煉方法之一。
已知：4Al (s)+3O₂(g) =2Al₂O₃(s)   ΔH₁ =" -3352" kJ/mol
Mn(s)+ O₂(g) =MnO₂ (s)    ΔH₂ =" -521" kJ/mol
Al與MnO₂反應冶煉金屬Mn的熱化學方程式是                            。
（4）氮化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽，其反應方程式為                                          。
（5）工業上用化學氣相沉積法制備氮化硅，其反應如下：3SiCl₄(g) + 2N₂(g) + 6H₂(g)

Si₃N₄(s) + 12HCl(g)  △H＜0
某溫度和壓強條件下，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2L密閉容器內，進行上述反應，5min達到平衡狀態，所得Si₃N₄(s)的質量是5.60g。
①H₂的平均反應速率是         mol／(L·min)。
②若按n(SiCl₄) : n(N₂) : n(H₂) =" 3" : 2 : 6的投料配比，向上述容器不斷擴大加料，SiCl₄(g)的轉化率應     （填“增大”、“減小”或“不變”）。
（6）298K時，K_sp[Ce(OH)₄]＝1×10^—29。Ce(OH)₄的溶度積表達式為K_sp＝              。
為了使溶液中Ce⁴^＋沉淀完全，即殘留在溶液中的c(Ce⁴⁺)小于1×10^－5mol·L^－1，需調節pH為     以上。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

在短周期元素中,原子最外電子層只有1個或2個電子的元素是（）

A．金屬元素

B．稀有氣體元素

C．非金屬元素

D．無法確定為哪一類元素

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

W、X、Y、Z是四種常見的短周期主族元素，其原子半徑隨原子序數的變化如圖所示。已知Y、Z兩種元素的單質是空氣的主要成分，W原子的最外層電子數與Ne原子的最外層電子數相差1。下列說法正確的是（）

A．Y、W的最簡單氫化物的水溶液都呈酸性

B．X、Y與Z中的任意兩種元素均可形成兩種或兩種以上的化合物

C．上述四種元素形成的化合物都抑制水的電離

D．W的單質可從Z的最簡單氫化物中置換出Z的單質

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列實驗不能達到預期目的的是（）

序號	實驗操作	實驗目的
A	Cl₂、Br₂分別與H₂反應	比較氯、溴的非金屬性強弱
B	MgCl₂、AlCl₃溶液中分別通入NH₃	比較鎂、鋁的金屬性強弱
C	測定同濃度的Na₂CO₃、Na₂SO₄溶液的pH	比較碳、硫的非金屬性強弱
D	Fe、Cu分別與鹽酸反應	比較鐵、銅的金屬性強弱