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下列表示物質(zhì)結(jié)構(gòu)的化學用語或模型正確的是

A．乙烯的結(jié)構(gòu)簡式：CH₂CH₂　　　 B．CH₄分子的比例模型：

　 C．溴化鈉的電子式： D．Cl^－離子的結(jié)構(gòu)示意圖：

解析:

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科目：高中化學 來源： 題型：

有U、V、W、X、Y、Z、T七種前四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大，其相關信息如下表：

元素編號	相關信息
U	其核外電子總數(shù)等于其電子層數(shù)
V	基態(tài)時，電子分布在三個能級上，且各能級中電子數(shù)均相等
W	其單質(zhì)是空氣的主要成分之一，且化學性質(zhì)相當穩(wěn)定
X	與W元素處于同一周期，且X的第一電離能小于W的第一電離能
Y	其單質(zhì)是最強的氧化劑
Z	Z元素的二價陽離子與氬原子的電子層結(jié)構(gòu)相同
T	是第四周期元素中未成對電子數(shù)最多的元素

請回答下列問題：
（1）T的基態(tài)原子的價電子排布式為

．
（2）U、V兩種元素可組成多種結(jié)構(gòu)的分子．請寫出符合下列條件的物質(zhì)的結(jié)構(gòu)簡式：
若化合物V₈U₈中V元素均采取sp³雜化方式

．
若化合物V₈U₈中V元素均采取sp²雜化方式

．
（3）寫出一種與V₂^2-互為等電子體的分子的化學式為

．
（4）甲和乙分別是W、X元素對應的氫化物，甲和乙中均屬于10電子分子，甲極易溶于乙中，原因是

．
（5）ZY₂晶體的晶胞如圖所示，Z²⁺位于晶胞的頂點和面心，則Z²⁺的配位數(shù)為

（圖中虛線和某些實線意義相同）．若該正方體的棱長為a cm，一個Z²⁺離子體積為b cm³，一個Y^-離子體積為c cm³，該晶胞中微粒的空間利用率為

（用含a、b、c的字母表示）．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【化學選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42．X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子，Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子．X跟Y可形成化合物X₂Y₃，Z元素可以形成負一價離子．請回答下列問題：
（1）X元素原子基態(tài)時的電子排布式為

，該元素的符號是

．
（2）Y元素原子的電子軌道表示式為

，元素X與Y的電負性比較：X

Y（填“＞”或“＜”）．
（3）X與Z可形成化合物XZ₃，該化合物的空間構(gòu)型為

．
（4）由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導體．
已知化合物A的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．（黑球位于立方體內(nèi)，白球位于立方體頂點和面心）

請寫出化合物A的化學式

：化合物A可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應制得，反應的化學方程式為

（5）已知（CH₃）₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為

．

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科目：高中化學 來源： 題型：

[化學選修3-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E、F是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次增大．其中B、D、F原子最外電子層的P能級（軌道）上的電子處于半充滿狀態(tài)．通常情況下，A的某種氧化物分子為非極性分子，其晶胞中分子呈面心立方堆積．E的電負性在該周期中最大．C的單質(zhì)是一種常見的半導體材料．回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E、F均用所對應的元素符號表示）
（1）寫出基態(tài)F原子的核外電子排布式

．
（2）A，B，C的第一電離能由大到小的順序為

．
（3）上述A的氧化物分子中心原子采取

雜化，其晶胞中微粒間的作用力為

．
（4）有下列三種物質(zhì)：①B的氫化物②A的最高價氧化物③A和C形成的化合物，它們的沸點從高到低的順序為

．
（5）固體CrE₃?6H₂O溶于水可能有幾種不同組成的配離子，將含0.2665g CrE₃?6H₂O 的溶液通過氫離子交換樹脂（只交換配陽離子），交換出的氫離子恰好用0.1250mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和．已知配離子配位數(shù)為6，則該配離子是

，配位原子是

，該固體溶于水還可形成多種配陽離子，寫出其中的兩種

．

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科目：高中化學 來源：2013屆江蘇省鹽城市高一下學期期中考試化學試卷 題型：選擇題

下列表示物質(zhì)結(jié)構(gòu)的化學用語或模型正確的是

A．乙烯的結(jié)構(gòu)簡式：CH₂CH₂　　　 B．CH₄分子的比例模型：

　 C．溴化鈉的電子式： D．Cl^－離子的結(jié)構(gòu)示意圖：

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