Question

【題目】2018年7月5日《科學》雜志在線報道：合成一種新的具有超高熱導率半導體材料——砷化硼（BAs）。通過反應4BI3(g) + As4(g)4BAs(s，晶體) + 6I2(g)可制備BAs晶體。下列說法錯誤的是（）

圖（a） 圖（b） 圖（c）

A. 圖（a）表示As4結構，As4分子中成鍵電子對與孤電子對數目之比為3:1

B. 圖（b）表示晶態單質硼的B12基本結構單元，該基本單元為正20面體

C. 圖（b）所示晶態單質硼的熔點為2180℃，它屬于原子晶體

D. 圖（c）表示BAs晶胞結構，As原子的配位數為4

Answer 1

【答案】A

【解析】

A. 圖（a）表示As4結構，每個As原子最外層有5個電子，形成3個σ鍵，還有1對孤電子對，As4分子中成鍵電子對與孤電子對數目之比為6:4，即3:2，故A錯誤；

B. 圖（b）表示晶態單質硼的B12基本結構單元，每個面都是由3個B原子形成的正三角形，每個B原子被5個正三角形共用，一共20個面，所以該基本單元為正20面體，故B正確；

C. 單質硼的熔點為2180℃，熔點較高，且原子間通過共價鍵結合，屬于原子晶體，故C正確；

D. BAs晶胞中，較大的原子為As原子，在其周圍最近的B原子數目為4，所以As原子的配位數為4，故D正確；

故選A。