【題目】下列敘述正確的是
A．Na2O與Na2O2都是堿性氧化物
B．生石灰能與水反應，可用來干燥氨氣
C．從海水中提取物質都必須通過化學反應才能實觀
D．氯化鋁是一種離子型電解質.可用于電解法制鋁
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】（1）海水是巨大的資源寶庫，工業上從海水中提取食鹽和溴的過程如下：
操作Ⅱ發生反應的離子方程式為： ；如果用碳酸鈉溶液代替操作Ⅱ中的二氧化硫水溶液，則生成物中溴的化合價分別為＋5和－1價，且操作Ⅲ中用稀硫酸代替氯氣，請寫出這種情況下操作Ⅲ中發生反應的離子方程式： 。
（2）溴苯是一種化工原料，可以用溴和苯反應合成。實驗室合成溴苯的裝置示意圖如下：
苯 | 溴 | 溴苯 | |
密度/g·cm－3 | 0.88 | 3.10 | 1.50 |
沸點/℃ | 80 | 59 | 156 |
水中溶解度 | 微溶 | 微溶 | 微溶 |
上表為苯、溴和溴苯的相關數據 ，回答下列問題：
在A中加入30.0mL無水苯和少量鐵屑。在B中小心加入8.0mL液態溴。
向A中滴加液溴，反應一段時間后，點燃酒精燈加熱蒸餾。
① A的容積最適合的是________(填編號)。
a．25mL b．50mL c．100mL d．250mL
② 收集溴苯時，應根據_______(填“C1”或“C2”)所顯示的溫度，其溫度應為__________。
③ 在反應開始后到收集溴苯之前，應先將F裝置連接在D裝置后，則用它可吸收承接到的所有物質有________________(填化學名稱)。
④ 某化學小組設計如下實驗方案，證明苯和溴發生的是取代反應而不是加成反應。
第一步：取少量反應后F裝置中的溶液于試管中；
第二步：向其中加入過量的稀硝酸；
第三步：繼續滴加少量的硝酸銀溶液。
如果有淺黃色沉淀生成則證明苯和溴發生的是取代反應。該實驗方案________(填“合理”或“不合理”)，理由是： 。
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】下列說法正確的是（ ）
A. 最外層電子數大于4的一定是非金屬元素
B. 元素周期表有18縱列，7橫行，故有18個族，7個周期
C. 第ⅠA族就是堿金屬
D. 某ⅡA族元素的原子序數為a，則和其同周期ⅢA的元素的原子序數可能為a+11
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】用如圖所示裝置進行實驗，將A逐滴加入B中：
（1）若B為Na2CO3粉末，C為C6H5ONa溶液，實驗中觀察到小試管內溶液由澄清變渾濁，則試管C中化學反應的化學方程式： 。然后往燒杯中加入沸水，可觀察到試管C中的現象： 。
（2）若B是生石灰，觀察到C溶液中先形成沉淀，然后沉淀溶解。當沉淀完全溶解，恰好變澄清時，關閉E然后往小試管中加入少量乙醛溶液，再往燒杯中加入熱水，靜置片刻，觀察到試管壁出現光亮的銀鏡，則A是 （填名稱），C是 （填化學式），與乙醛的混合后，該溶液中反應的化學方程式： 。實驗結束時用 清洗銀鏡。
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【題目】根據下列熱化學方程式，判斷氫化物的穩定性順序正確的是
N2(g)+ 3H2 (g)＝2NH3(g) ΔH＝－92.4kJ·mol-1
H2(g)+ Cl2(g)＝2HCl(g) ΔH＝－184.6kJ·mol-1
I2(g)+ H2 (g)＝2HI(g) ΔH＝－9.4kJ·mol-1
A．HCl＞NH3＞HI
B．HI＞HCl＞NH3
C．HCl＞HI＞NH3
D．NH3＞HI＞HCl
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【題目】乙烯雌酚是一種激素類藥物，結構簡式如圖．請回答：
（1）乙烯雌酚中含氧官能團的名稱是 ．
（2）1mol乙烯雌酚最多能與 mol H2發生加成反應．
（3）下列關于乙烯雌酚的說法正確的是 （填序號）．
①具有弱酸性 ②分子式為 C18H20O2 ③能與碳酸鈉溶液反應放出二氧化碳
（4）乙烯雌酚發生加聚反應所得產物的結構簡式是 ．
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】“來自石油和煤的兩種基本化工原料”之一A，A是氣態烴。B和D是生活中兩種常見的有機物。以A為主要原料合成乙酸乙酯。其合成路線如圖所示。
（1）A的分子式是__________________。在反應①～④中，屬于加成反應的是__________(填序號)。
（2）寫出反應②的化學方程式：_______________________________________________。
寫出D與小蘇打溶液反應的離子方程式：_______________________________________________。
（3）下圖是分離B、D和乙酯乙酯混合物的實驗操作流程圖。
上述實驗過程中，所涉及的三次分離操作分別是__________。
A．①蒸餾；②過濾；③分液 B．①分液；②蒸餾；③結晶、過濾
C．①分液；②蒸餾；③蒸餾 D．①蒸餾；②分液；③分液
（4）滿足與C互為同系物，且相對分子質量比C大56的分子的同分異構體有__________種。
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【題目】砷化鎵（GaAs）是優良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：
（1）寫出基態As原子的核外電子排布式________________________。
（2）根據元素周期律，原子半徑Ga_____________As，第一電離能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構型為____________________，其中As的雜化軌道類型為_________。
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結構如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質量分別為MGag·mol-1和MAs g·mol-1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏伽德羅常數值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________。
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