【題目】手機芯片的主要成分是
A. Si B. SiC C. SiO2 D. Na2SiO3
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】(1)元素的第一電離能：N________O(填“>”或“<”)。
(2)基態Fe2＋的電子排布式為___________________________。
(3)在N、Mg、Al、Si四種元素中，有一種元素的電離能數據如下：
電離能 | I1 | I2 | I3 | I4 | … |
In/kJ·mol－1 | 578 | 1 817 | 2 745 | 11 575 | … |
則該元素的元素符號是________。
(4)NO
的空間構型_____________________(用文字描述)，SO
中硫原子的雜化方式為________________________。
(5)硅烷(SinH2n＋2)的沸點與其相對分子質量的變化關系如圖所示，呈現這種變化關系的原因是_______________________。
(6)金屬銅原子的堆積方式為面心立方最密堆積，銅的原子半徑為r nm，則銅晶胞的體積表達式為________ cm3。
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】原子序數依次增大的A、B、C、D、E、F六種元素。其中A的基態原子有3個不同的能級，各能級中的電子數相等；C的基態原子2p能級上的未成對電子數與A原子的相同；D為它所在周期中原子半徑最大的主族元素；E和C位于同一主族，F的原子序數為29。
(1)F原子基態的核外電子排布式為_____________________。
(2)在A、B、C三種元素中，第一電離能由小到大的順序是________(用元素符號回答)。
(3)元素B的簡單氣態氫化物的沸點遠高于元素A的簡單氣態氫化物的沸點，其主要原因是______________________________。
(4)由A、B、C形成的離子CAB－與AC2互為等電子體，則CAB－的結構式為___________________________。
(5)在元素A與E所形成的常見化合物中，A原子軌道的雜化類型為________。
(6)由B、C、D三種元素形成的化合物晶體的晶胞如圖所示，則該化合物的化學式為_______________________________。
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】在容積為1L的密閉容器中，充入1mol CO2和3mol H2，在溫度500℃時發生反應：CO2(g)+ 3H2(g) 
CH3OH(g)+ H2O(g) △H<0。CH3OH的濃度隨時間變化如圖，下列說法不正確的是
A．從反應開始到10分鐘時，H2的平均反應速率v(H2)＝0.15 mol/(L·min)
B．從20分鐘到25分鐘達到新的平衡，可能是增大壓強
C．其它條件不變，將溫度升到800℃，再次達平衡時平衡常數減小
D．從開始到25分鐘，CO2的轉化率是70%
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】氟在自然界中常以CaF2的形式存在。
(1)下列有關CaF2的表述正確的是________。
a．Ca2＋與F－間僅存在靜電吸引作用
b．F－的離子半徑小于Cl－，則CaF2的熔點高于CaCl2
c．陰陽離子比為2∶1的物質，均與CaF2晶體構型相同
d．CaF2中的化學鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態下能導電
(2)CaF2難溶于水，但可溶于含Al3＋的溶液中，原因是________(用離子方程式表示)。已知AlF
在溶液中可穩定存在。
(3)F2通入稀NaOH溶液中可生成OF2，OF2分子構型為________，其中氧原子的雜化方式為________。
(4)F2與其他鹵素單質反應可以形成鹵素互化物，例如ClF3、BrF3等。已知反應Cl2(g)＋3F2(g)===2ClF3(g) ΔH＝－313 kJ·mol－1，F—F鍵的鍵能為159 kJ·mol－1，Cl—Cl鍵的鍵能為242 kJ·mol－1，則ClF3中Cl—F鍵的平均鍵能為________kJ·mol－1。ClF3的熔、沸點比BrF3的________(填“高”或“低”)。
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】下列說法中正確的是
A. 同溫同壓下，氣體的物質的量與體積成反比。
B. 同溫同體積時，氣體的物質的量與壓強成反比。
C. 同溫同物質的量時，氣體的壓強與體積成正比。
D. 同壓同體積時，氣體的物質的量與溫度成反比。
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