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A.上述核反應(yīng)方程為

B.β粒子在云室中穿過(guò)會(huì)留下清晰的路徑，此體現(xiàn)了粒子的波動(dòng)性

C.氚核內(nèi)部某個(gè)中子轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)子時(shí)，會(huì)向外發(fā)射粒子

D.新核的動(dòng)量為

(1)要使貯氣筒中空氣的壓強(qiáng)達(dá)到4 atm，打氣筒應(yīng)打壓幾次？

(2)在貯氣筒中空氣的壓強(qiáng)達(dá)到4 atm時(shí)，打開(kāi)噴嘴使其噴霧，直到內(nèi)外氣體壓強(qiáng)相等，這時(shí)筒內(nèi)還剩多少藥液？

【題目】一足夠長(zhǎng)寬為L的長(zhǎng)方體透明介質(zhì)與右側(cè)的熒光屏平行放置，其右表面距離熒光屏的距離也為L，在透明介質(zhì)的左側(cè)L處有一點(diǎn)光源S，該光源在熒光屏上的投影點(diǎn)為O，點(diǎn)光源S發(fā)出一細(xì)光束，光束與透明介質(zhì)表面呈=45°，細(xì)光束經(jīng)透明介質(zhì)折射后射到熒光屏上的A點(diǎn)，經(jīng)測(cè)量可知AO兩點(diǎn)之間的距離為，已知光在真空中的速度為c。求：

(1)該透明介質(zhì)的折射率大小為多少？

(2)細(xì)光束從發(fā)射到射到熒光屏上的時(shí)間為多少？

(1)粒子從O點(diǎn)射入磁場(chǎng)時(shí)的速度v；

(2)勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)E和勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B；

(3)粒子從O點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)所用的時(shí)間。

A．靈敏電流計(jì)G（0~5mA，內(nèi)阻約為60Ω）

B．電壓表V（0~3V，內(nèi)阻約為10kΩ）

C．電阻箱R1（0~999.9Ω）

D．滑動(dòng)變阻器R2（0~100Ω，1.5A）

E．舊電池2節(jié)

F．開(kāi)關(guān)、導(dǎo)線若干

(1)由于靈敏電流計(jì)的量程太小，需擴(kuò)大靈敏電流計(jì)的量程。測(cè)量靈敏電流計(jì)的內(nèi)阻的電路如圖甲所示，調(diào)節(jié)R2的阻值和電阻箱使得電壓表示數(shù)為2.00V，靈敏電流計(jì)示數(shù)為4.00mA，此時(shí)電阻箱接入電路的電阻為450．0Ω，則靈敏電流計(jì)內(nèi)阻為___________Ω；（保留1位小數(shù)）

(2)為將靈敏電流計(jì)的量程擴(kuò)大為60mA，該實(shí)驗(yàn)小組將電阻箱與靈敏電流計(jì)并聯(lián)，則應(yīng)將電阻箱R1的阻值調(diào)為___________Ω；（保留3位有效數(shù)字）；

(3)把擴(kuò)大量程后的電流表接入如圖乙所示的電路，根據(jù)測(cè)得的數(shù)據(jù)作出U－IG（IG為靈敏電流計(jì)的示數(shù)）圖象如圖丙所示，則該干電池組的電動(dòng)勢(shì)E=___________V；內(nèi)阻r=___________Ω（保留3位有效數(shù)字）。

【題目】木-木間動(dòng)摩擦因數(shù)約為0.3，實(shí)驗(yàn)室中測(cè)量某木塊與木板間動(dòng)摩擦因數(shù)。

(1)采用圖甲所示實(shí)驗(yàn)裝置，正確進(jìn)行實(shí)驗(yàn)操作，得到圖乙所示的一條紙帶。從某個(gè)清晰的打點(diǎn)開(kāi)始依次標(biāo)注0、1、2、3、4、5、6，分別測(cè)出0點(diǎn)到各點(diǎn)的距離d1、d2、d3、d4、ds、d6。已知打點(diǎn)周期T，求得各點(diǎn)木塊運(yùn)動(dòng)速度vi，其中第4塊木塊的速度v4=___________；取0點(diǎn)時(shí)刻為零時(shí)刻，作v－t圖得到木塊加速度為a，已知木塊的質(zhì)量M、鉤碼的總質(zhì)量m及當(dāng)?shù)刂亓�加速�?/span>g，則木塊與木板間動(dòng)摩擦因數(shù)=___________。

(2)關(guān)于上述實(shí)驗(yàn)操作過(guò)程：長(zhǎng)木板必須保持___________（填“傾斜”或“水平”）。

A. 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中做加速運(yùn)動(dòng)

B. 線框的右邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受安培力的大小為

C. 線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中速度的最小值為

D. 線框右邊從MN到PQ運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Fd

A. ab連線的中點(diǎn)電勢(shì)最低

B. a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的電勢(shì)高

C. x=3L處場(chǎng)強(qiáng)一定為零

D. Q2帶負(fù)電且電荷量小于Q1

A.B.

C.D.