Question

【題目】利用霍爾效應制作的霍爾元件，廣泛應用于測量和自動控制等領域。霍爾元件常用兩種半導體材料制成：一類是N型半導體，其載流子是電子，另一類是P型半導體，其載流子稱為“空穴”，相當于帶正電的粒子。把某種材料制成的長方體霍爾元件豎直放在勻強磁場中，磁場B的方向垂直于霍爾元件的工作面，當霍爾元件中通有如圖所示方向的電流I時，其上、下兩表面之間會形成電勢差。則下列說法中正確的是（　　）

A.若長方體是N型半導體，則上表面電勢高于下表面電勢

B.若長方體是P型半導體，則上表面電勢高于下表面電勢

C.在測地球赤道的地磁場強弱時，元件的工作面應與所在位置的水平面平行

D.在測地球兩極的地磁場強弱時，元件的工作面應與所在位置的水平面平行

Answer 1

【答案】BD

【解析】

AB．若長方體是N型半導體，由左手定則可知，電子向上表面偏轉，則上表面電勢低于下表面電勢；若長方體是P型半導體，則帶正電的粒子向上表面偏轉，即上表面電勢高于下表面電勢，選項A錯誤，B正確；

C．赤道處的地磁場是水平的，則在測地球赤道的地磁場強弱時，元件的工作面應與所在位置的水平面垂直，選項C錯誤；

D．兩極處的地磁場是豎直的，在測地球兩極的地磁場強弱時，元件的工作面應與所在位置的水平面平行，選項D正確。

故選BD。