Question

【題目】太陽(yáng)能光伏發(fā)電最關(guān)鍵的材料是高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法．生產(chǎn)流程示意圖如下：

（1）按物質(zhì)的分類標(biāo)準(zhǔn)，三氯甲硅烷（SiHCl3）是_____（填化合物或混合物）．

（2）“精餾”也是蒸餾的一種形式．通過(guò)蒸餾可把液體混合物分離開(kāi)，原理是利用混合物各成分的_____（填“熔點(diǎn)”或“沸點(diǎn)”）不同．

（3）寫(xiě)出SiHCl3（粗）和氫氣反應(yīng)生成高純硅和氯化氫氣體的反應(yīng)方程式：_____．

（4）為了達(dá)到綠色化學(xué)和資源綜合利用的目的，上述生產(chǎn)流程中某些物質(zhì)可循環(huán)使用，這些物質(zhì)是_____（填化學(xué)式）．

（5）整個(gè)制備過(guò)程必須達(dá)到無(wú)水無(wú)氧。在H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是_____。

Answer 1

【答案】化合物 沸點(diǎn) SiHCl3+H2Si+3HCl H2、HCl 發(fā)生爆炸

【解析】

（1）三氯甲硅烷中各元素按照一定的質(zhì)量比組成在一起，所以三氯甲硅烷屬于化合物，故填化合物；

（2）蒸餾是通過(guò)將各成分加熱形成氣體后再進(jìn)行分離，利用的是各成分的沸點(diǎn)不同，故填沸點(diǎn)。

（3）三氯甲硅烷與氫氣在溫度為1084℃時(shí)反應(yīng)生成氯化氫氣體，故反應(yīng)的化學(xué)方程式寫(xiě)為：SiHCl3+H2Si+3HCl。

（4）粗硅與氯化氫氣體反應(yīng)生成三氯甲硅烷和氫氣，三氯甲硅烷和氫氣反應(yīng)生成高純硅和氯化氫氣體，兩個(gè)反應(yīng)中生成的氫氣與氯化氫氣體均可以循環(huán)使用，故填H2、HCl。

（5）在H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，高溫條件下，氫氣與氧氣的混合氣體會(huì)急劇燃燒引起爆炸，故填發(fā)生爆炸。